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本发明涉及一种采用ＢＣＢ辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物ＢＣＢ低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作ＴＳＶ封装（Ｔｈｒｏｕｇｈ?Ｓｉｌｉｃｏｎ?Ｖｉａ，穿硅通孔）的方法，所述的ＴＳＶ封装的制作工艺步骤是：在...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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