【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及大功率LED封装结构,尤其是涉及一种倒装键合贴片LED封装结构。
技术介绍
LED (发光二极管),因为其显示出优于传统光源的节能效果并且可以被永久地 使用而具有其优势,用LED背光取代手持装置原有的EL背光、CCFL背光,不仅电 路设计更简洁容易,且有较高的外力抗受性。用LEI)背光取代液晶电视原有的CCFL 背光,不仅更环保而且显示更逼真亮丽。用LED照明取代白光灯、卤素灯等照明, 不仅更光亮省电,使用也更长效,且点亮反应更快。固态照明的需求,要求不断地提高LED的输入功率与发光效率。目前提高LED 出光效率的几个途径透明衬底技术、金属膜反射技术、倒装芯片技术。如附图1所示,通常的蓝、绿光晶片是通过MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长GaN 基LED结构层,由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型GaN传 导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层Ni-Au 组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引出。为获得好的电流扩展,Ni-Au 金属电极层就不能太薄。为此,器件的发光效率就会受到很大影响,通常需要同时 兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什么情况下,金属薄膜的存在,总会 使透光性能变差。此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用GaN LED倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。附图2所示的 是常规的倒装结构的大功率LED,芯片201通过焊球202和203倒装接合在包括有抗静电齐纳二极管的硅基垫204上,LED发出的光直接透过蓝宝石层射出,不存在 上述的Ni-Au金属膜与引 ...
【技术保护点】
一种倒装键合贴片LED封装结构,包括有一个正面双电极结构蓝宝石衬底的LED晶片(301)和一个陶瓷基板(302),陶瓷基板上排布有电气线路,其特征是:所述陶瓷基板的正面设置有凹腔(303),在凹腔的底部设置有焊球(304、305),LED晶片通过焊球倒装压焊在凹腔的底部,在LED晶片外围的凹腔内填充有硅胶(306),在陶瓷基板的背面设置有外电极(307)。
【技术特征摘要】
1、一种倒装键合贴片LED封装结构,包括有一个正面双电极结构蓝宝石衬底的LED晶片(301)和一个陶瓷基板(302),陶瓷基板上排布有电气线路,其特征是所述陶瓷基板的正面设置有凹腔...
【专利技术属性】
技术研发人员:包书林,胡建红,
申请(专利权)人:江苏稳润光电有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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