【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种波长转换的半导体发光器件。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、共振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔 激光二极管(VCSEL)和边缘发射激光器的半导体发光器件是目前可以 得到的最有效的光源。目前关注点集中于制造能够在整个可见光谱范围中工作的高亮度发光器件的材料体系包括in-v族半导体，特别是 镓、铝、铟和氮的二价、三价和四价合金，也称作in-氮化物材料、以 及镓、铝、铟和磷的二价、三价和四价合金，也称作m-磷化物材料。 典型地，in-氮化物发光器件是通过金属-有机化学汽相沉积(M0CVD)、 分子束外延、或者其他外延技术，在蓝宝石、碳化硅、m-氮化物或者 其他合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂浓度的半导体层的叠层而 制造的。所述叠层通常包括形成在衬底上的掺杂有例如Si的一个或者多个n-型层、形成在n-型层或者多个n-型层上的发光或者活性区域、 以及形成在活性区域上的掺杂有例如Mg的一个或者多个p-型层。形成在导电衬底上的in-氮化物器件可以在该器件的相对侧上形成有p-触点和n-触点。通常，在绝缘衬底(例如蓝宝石)上制造m-氮化物器 件，在该器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括提供一种包括磷光体的陶瓷主体，该磷光体构造成吸收第一峰值波长的光并且发射第二峰值波长的光；将陶瓷主体结合到核结构的表面上；并且在核结构上生长半导体结构，该半导体结构包括设置在n-型区域和p-型区域之间的发光区域，该发光区域构造成发射第一峰值波长的光；其中在生长之前，该核结构的厚度小于100微米。2. 根据权利要求l的方法，其中结合包括形成基本上没有金属或 者粘合剂的结合。3. 根据权利要求l的方法，其中结合包括在高于500TC的温度以 及大于5 psi的压力下将陶资主体和核结构压制在一起。4. 根据权利要求1的方法，其中核结构选自GaN、 A1N、 SiC和5. 根据权利要求l的方法，还包括 提供形成在衬底上的核结构；以及 在结合之后，除去所述衬底。6. 根据权利要求l的方法，还包括蚀刻半导体结构以暴露出n-型区域和p-型区域的一部分；以及 在n-型区域和p-型区域上形成触点。7. 根据权利要求6的方法，其中至少一个触点是反射性的。8. 根据权利要求l的方法，还包括将陶瓷主体成形为透镜。9. 根据权利要求l的方法，还包括使陶乾主体的表面具有紋理或 者变粗糙。10. 根据权利要求l的方法，其中陶瓷主体是透明的。11. 根据权利要求l的方法，其中陶瓷主体是不透明的。12. 根据权利要求1的方法，其中在生长之前，核结构的厚度小 于IO微米。13. 根据权利要求1的方法，其中在生长之前，核结构的厚度小 于1微米。14. 根据权利要求1的方法，还包括在核结构和陶瓷主体之间提15. —种方法，包括提供一种包括磷光体的陶瓷主体，该磷光体构造成吸收第一峰值波长的光并且发射第二峰值波长的光；提供形成在生长衬底上的半导体结构；该半导体结构包括设置在 n-型区域和p-型区域之间的发光区域，该发光区域构造成发射第一峰值波长的光；将陶瓷主体结合到半导体结构的表面；以及在结合之后，去除生长衬底。16. 根据权利要求15的方法，其中在生长n-型区域之前在生长衬底上生长p-型区域。17. 根据权利要求16的方法，还包括在除去生长衬底之后，对半导体结构进行退火。18. 根据权利要求15的方法，其中半导体结构结合到陶瓷主体上的表面是n-型区域的表面。19. 根据权利要求15的方法，还包括在半导体结构和陶瓷主体之间设置结合层。20. —种发光器件，包括包括多个层的半导体结构，该多个层包括夹在n-型区域和p-型区域之间的发光区域以及；与多个层中之一直接接触的发光材料，其中以...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·R·克拉梅斯，G·O·米勒，
申请(专利权)人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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