【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种例如在通信、道路/铁路/引导显示板或广告显示板、手 机或显示器的背光灯、照明器具等中所使用的。
技术介绍
近年来，作为一种半导体发光元件的半导体发光二极管(以下，称为LED)的制造技术快速进步，特别是自从蓝色的LED被开发以来，因光 的三原色全部齐备，所以，通过其组合可制作出所有波长的光。因此，LED 的适用范围快速扩展，其中，在照明领域，加上对环境/能源问题意识的提 高，作为替代灯泡、荧光灯的自然光/白色光源受到关注。但是，现阶段的LED与灯泡或荧光灯相比较，相对于输入的能量的光 的转换效率差，正在进行以更高转换效率、更高亮度的LED为目标的研究 开发。以前的高亮度化技术开发的中心是外延生长技术，但通过多重量子阱 结构等禁带结构最优化等，在结晶内部的发光效率(内部量子效率)变得 很高，关于外延生长技术已经成熟，所以，近年来，LED的高亮度化方法 逐渐向以工艺技术为中心的开发方向转移。根据工艺技术的亮度提高是指提高外部取出效率，作为其具体技术可 例举元件的形状微细加工技术、反射膜、透明电极的形成技术等。其中， 根据晶片接合的方法在红色、蓝色发光...
【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，具有：第一导电型的第一半导体层；形成于所述第一半导体层上的发光层；形成于所述发光层上的第二导电型的第二半导体层；第一反射层，该第一反射层形成于所述第一半导体层下，并且，由多个第一导电型的半导体层层积而构成，且至少一部分相对于所述发光层的发光波长具有反射性。
【技术特征摘要】
JP 2006-11-17 311646/061.一种半导体发光元件，其特征在于，具有第一导电型的第一半导体层；形成于所述第一半导体层上的发光层；形成于所述发光层上的第二导电型的第二半导体层；第一反射层，该第一反射层形成于所述第一半导体层下，并且，由多个第一导电型的半导体层层积而构成，且至少一部分相对于所述发光层的发光波长具有反射性。2. 如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，还具有透过性 衬底，该透过性衬底设置于所述第二半导体层上，且相对于所述发光层的 发光波长具有透过性。3. 如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透过性衬 底由第二导电型的半导体层构成，在所述透过性衬底上形成有透过性衬底 电极，在所述第一反射层下形成有反射层电极。4. 如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述第一反 射层的、与所述第一半导体层侧相反侧表面的一部分上形成反射层电极。5. 如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述第一反 射层的、与所述第一半导体层侧相反侧的表面上，在形成有所述反射层电二反射层。6. 如权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二反射 层覆盖所述第一反射层及所述反射层电极而形成。7. 如权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二反射 层由单层或多层形成，该单层或多层由Au、 Ag、 Al、 Ti、 Cu、 Mo、 Sn、 W、 Ta、 Pt、 Ge、 Si、 Zn、 Be、 Cr、 Se、 Ni中的至少一种以上的元素构成。8. 如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透过性衬 底是含有Ga、 Si、 P、 C、 Zn、 Se、 Cd、 Te、 B、 N、 Al、 In、 Hg、 S、 O中 的至少两种以上元素的半导体层。9. 如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，具有设置于所 述第 一反射层下的支承衬底。10. 如权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，所述支承衬底 通过金属与所述第...
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