发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：（Ａ）在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及（Ｂ）暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤（Ｂ）之后还包括步骤：（Ｃ）利用ＳＯＧ层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明专利技术中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层（绝缘层）覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。 背景4支术才艮据现有技术的发光二极管(LED)，例如，日本技术No. 3068914 公开的一种发光二极管包括具有堆叠结构的发光层，其中，例如，在包括例 如蓝宝石的衬底10A上方堆叠基于'MOCVD方法形成的底层IOB、第一导 电类型(例如，n-型)的第一化合物半导体层11、有源层12、和第二导电类 型(例如，p-型)的第二化合物半导体层13,如图8中的示意性截面图所示。 第二电极14设置在第二化合物半导体层13上。此外，通过除去一部分第二 化合物半导体层13和一部分有源层12暴露一部分第一化合物半导体层11, 并在第一化合物半导体层11的暴露部分上方设置第一电极15。电流从第二 电极14通过第二化合物半导体层13下面的有源层12部分并因此到达第一 化合物半导体层11和第一电极15。结果，在有源层12中，有源层12的量 子阱结构被注入的电流激励，并且在整个表面积上获得光发射状态。在衬底侧光拾取型的发光二极管中，从有源层12发射的光直接穿过衬 底IOA透射到外部，或者:^皮第二电极14反射后透射穿过衬底IOA并到达外 部。另一方面，在电极透射的光拾取型发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造发光装置的方法，包括步骤：（Ａ）在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及（Ｂ）暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上方形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上方形成第二电极，其中所述方法在所述步骤（Ｂ）之后还包括步骤：（Ｃ）利用ＳＯＧ层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。

【技术特征摘要】
JP 2006-10-18 284051/061、一种制造发光装置的方法，包括步骤(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上方形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上方形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。2、 如权利要求1中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C) 中，利用所述SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述 有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第 二电极、和所述第一电极，并且在此之后在所述SOG层的位于所述第一电 极上方的部分和所述SOG层位于所述第二电极上方的部分中分别形成第一 开口和第二开口 。3、 如权利要求2中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C) 中，利用第一绝缘层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有 源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二 电极、和所述第一电极，并且在此之后利用SOG层覆盖所述第一绝缘层， 并且在所述SOG层和所述第一绝缘层中形成第一开口和第二开口。4、 如权利要求2中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C) 中，利用SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源 层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二电 极、和所述第一电极，并且在此之后利用第二绝缘层覆盖所述SOG层，并 且在所述第二绝缘层和所述SOG层中形成第 一开口和第二开口 。5、 如权利要求2中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C) 中，利用第一绝缘层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有 源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、所述第二 电极、和所述第一电极，并且在此之后利用SOG层覆盖所述第一绝缘层，利用第二绝缘层进一步覆盖所述SOG层，并且然后在所述第二绝缘层、所 述SOG层和所述第一绝缘层中形成第一开口和第二开口。6、 一种制造发光装置的方法，包括步骤(A) 在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源 层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以 及(B) 暴露一部分所迷第一化合物半导体层并且在所述第二化合物半导 体层上方形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤(C )利用SOG层覆盖所述第 一化合物半导体层的除了形成第 一 电极部 分之外的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层 的暴露部分、和一部分所述第二电极；以及(D)在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分的形成所述第一电极 的所述部分上形成所述第一电极。7、 如权利要求6中所述的制造发光装置的方法，其中在所述步骤(C) 中，利用所述SOG层覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述 有源层的所述暴露部分、所述第二化合物半导体层的所述暴露部分、和所述 第二电极，然后在所述SOG层的覆盖所迷第一化合物半导体层的所述暴露 部分的形成所述第一电极的所述部分的部分中形成第一开口 ，并且在所述 SOG层的覆盖所述第二电极的部分中形成第二开口 ；以及在所述步骤(D)中，在所述第一化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部义昭，日野智公，冈野展贤，仓持尚叔，菊地雄一郎，大桥达男，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]