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本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：（Ａ）在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及（Ｂ）暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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