氮化物半导体发光器件制造技术

在具有ｎ型氮化物半导体层和ｐ型氮化物半导体层之间的有源层的氮化物半导体发光器件中，有源层具有多量子阱结构，其包括交替堆叠的多个Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０＜ｘ≤１）量子阱层和多个Ｉｎ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ（０≤ｙ＜１）势垒层；且势垒层的至少一个具有超晶格结构，其中周期性地堆叠具有互不相同的Ｉｎ组成比例的多个势垒子层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化物半导体发光器件和具体地涉及其发光效率的提
技术介绍
在例如根据日本特开平06 - 268257号公报的氮化物半导体LED (发光 二极管)的氮化物半导体发光器件中，夹置在n型氮化物层和p型氮化物层 之间的有源层具有多量子阱(MQW)结构，其中Ino.2Gao.8N量子阱层和 ln,Ga().96N势垒层交替重复5个周期。此外，根据日本特开平11-330554号公报，在氮化物半导体发光器件的 MQW有源层中，Ino.2Gao.8N量子阱层和GaN势垒层交替重复5个周期。如上所述，在根据日本特开平06-268257号公报和特开平11-330554号 公报的现有技术中，每个势垒层都是由GaN或InGaN的单层形成的。顺便提及，由于与GaN比较InN具有更小的能量带隙，具有相对高In 浓度的层可以作为量子阱层，而具有相对低In浓度的层可以作为势垒层。 从通过MQW有源层的阱层中捕获和复合载流子提高发光效率的观点出发， 优选的是量子阱层和势垒层之间有较大的带隙差异，且同样优选的是势垒层 的厚度能增大到一定程度。作为通过提高氮化物半导体发光器件中MQW有源层的质量来改善本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光器件，具有在ｎ型氮化物半导体层和ｐ型氮化物半导体层之间的有源层，其中　　　　所述有源层具有多量子阱结构，其包括交替堆叠的多个Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０＜ｘ≤１）量子阱层和多个Ｉｎ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ（０≤ｙ＜１）势垒层；且　　　　所述多个势垒层的至少一个具有超晶格势垒结构，其中周期性地堆叠具有互不相同的Ｉｎ组成比例的多个势垒子层。

【技术特征摘要】
JP 2006-11-22 315582/061.一种氮化物半导体发光器件，具有在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的有源层，其中所述有源层具有多量子阱结构，其包括交替堆叠的多个InxGa1-xN(0＜x≤1)量子阱层和多个InyGa1-yN(0≤y＜1)势垒层；且所述多个势垒层的至少一个具有超晶格势垒结构，其中周期性地堆叠具有互不相同的In组成比例的多个势垒子层。2. 依照权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中在所述多个势垒层中，除了与所述p型氮化物半导体层接触的势垒层之 外的势垒层具有所述超晶格势垒结构。3. 依照权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中 具有所述超晶格结构的势垒层包括Iny,Ga卜y,N (0<yl<l)的和Iny2Gahv2N (yl<y2<l )的势垒子层。4. 依照权利要求3的氮化物半导体发光器件，其中所述阱层的In组成比例大于包括在所述势垒层中的任何所述势垒子层的 In组成比例。5. 依照权利要求3的氮化物半导体发光器件，其中 在所述势垒层中，具有相对小In组成比例的所述势垒子层与具有相对大In组成比例的所述势...

【专利技术属性】
技术研发人员：驹田聪，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]