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在具有ｎ型氮化物半导体层和ｐ型氮化物半导体层之间的有源层的氮化物半导体发光器件中，有源层具有多量子阱结构，其包括交替堆叠的多个Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０＜ｘ≤１）量子阱层和多个Ｉｎ↓［ｙ］Ｇａ↓［１－ｙ］Ｎ（０≤ｙ＜１）势垒层；且势...
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