半导体发光元件制造技术

提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光元件及其制造方法、以及半导体发光装 置。更具体地涉及在半导体发光元件中用于在外部高效率地取出所发 光的电极结构及电极周边结构。
技术介绍
近年来发光器件的进展引人注目。尤其是发光二极管(LED)兼 具小型、低耗电、可靠性高等特征，被广泛用作显示用光源。作为已 实用化的LED的材料，AlGaAs、 GaAlP、 GaP、 InGaAlP等V族元 素用As、 P的III-V族化合物半导体用于发红色、橙色、黄色、绿色 光，绿色、青色、紫外区用GaN系化合物半导体，实现发光强度高的 LED。通过进一步提高该LED的高亮度化，可以大大扩大作为屋外 显示器或通信用光源的用途。用图29说明现有的GaN系青紫色LED的结构，图29是LED 的剖面图。如图所示，发青紫色光的半导体发光元件110借助于银浆料130 接合在引线框120上。半导体发光元件110的p型电极和n型电极通 过键合引线分别连接到与其电位分别对应的引线框120上。然后用环 氧树脂180覆盖其全体，构成光源型的青紫色LEDIOO。下面，用图30说明发青紫色光的GaN系半导体发光元件110的 结构。图30示出半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包括：半导体衬底；在所述透明衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第 二电极；以及与所述透明衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。

【技术特征摘要】
JP 2000-6-30 200298/20001.一种发光元件，包括半导体衬底；在所述透明衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述透明衬底接触的第一电极；其中所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。2. 如权利要求1所述的发光元件，其中还包括在所述透明村底上形成为覆盖所述脊形部件的侧面的电流限制 层；和在所述脊形部件和所述电流限制层上形成的第三半导体层。3. 如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极位于所述脊形部件的紧贴它的下方。4. 如权利要求3所述的发光元件，其中所述光反射层包围所 述第一电极。5. 如权利要求1所述的发光元件，其中所述光反射层由介电 物质或包含介电物质的材料构成。6. 如权利要求1所述的发光元件，其中所述光反射层包含高 折射率层和低折射率层，该高折射率层对光的折射率大于所述透明衬 底对光的的折射率，该低折射率层对光的的折射率小于所述高折射率 层对光的的折射率。7. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈崎治彦，菅原秀人，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]