包含窗口层和导光结构的半导体发光器件制造技术

一种器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域（44，49）和p型区域（46）之间的发光层（48）。该半导体结构布置在窗口层（40）和导光结构（44）之间。该导光结构配置成将光引导朝向窗口层；合适的导光结构的实例包含多孔半导体层和光子晶体。n接触（58，64）电学连接到n型区域且p接触（60，62）电学连接到p型区域。该p接触布置于在该半导体结构中形成的开口（54）中。

【技术实现步骤摘要】
201610396252

【技术保护点】
一种制作半导体发光器件的方法，该方法包含：在生长衬底上生长包含布置在n型区域和p型区域之间的发光层的半导体结构；在p型区域之上布置透明导电氧化物；经由透明导电氧化物将半导体结构结合到窗口层；移除生长衬底；使通过移除生长衬底所暴露的n型区域的部分为多孔的；蚀刻暴露透明导电氧化物的半导体结构中的开口；以及在开口中形成金属接触。

【技术特征摘要】
2008.07.24 US 12/1789021.一种制作半导体发光器件的方法，该方法包含：在生长衬底上生长包含布置在n型区域和p型区域之间的发光层的半导体结构；在p型区域之上布置透明导电氧化物；经由透明导电氧化物将半导体结构结合到窗口层；移除生长衬底；使通过移除生长衬底所暴露的n型区域的部分为多孔的；蚀刻暴露透明导电氧化物的半导体结构中的开口；以及在开口中形成金属接触。2.权利要求1的方法，其中透明导电氧化物为下述中的一种：铟锡氧化物、氧化锌和氧化钌。3.权利要求1的方法，其中布置在p型区域和窗口层之间的所有层的组合厚度小于2μm。4.权利要求1的方法，其中在开口中形成金属接触包含在开口中形成与透明导电氧化物接触的p接触。5.权利要求1的方法，其中所述结合包含在透明导电氧化物和窗口层之间布置透明结合层。6.权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：JE埃普勒，JG内夫，OB施舍金，
申请(专利权)人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US