本发明专利技术公开了一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料及其制备方法，所述用于芯片封装的高折改性硅胶材料，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶26‑30份、聚苯硫醚8‑10份、二甲基苯胺3‑6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1‑0.5份、改性二氧化硅粉末0.1‑0.5份、过氧化二碳酸二异丙酯0.1‑0.5份、氧化铝0.1‑0.5份、玻璃纤维2‑6份。本发明专利技术中用于芯片封装的高折改性硅胶材料综合性能优异，具有成型加工性好、折射率高、成本低廉等优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高分子材料
，具体是一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料及其制备方法。
技术介绍
有机硅材料是一类性能优异、功能独特、用途极广的新材料，是高分子新型材料中产业规模最大的材料之一，是一种关系着技术革新、国防现代化、国民经济发展及人民生活 水平提高的新材料。有机硅聚合物是含有硅元素的众多高分子化合物的总称，因主链以硅 氧键（-Si-O-）组成，侧链可链接各种有机基团，具有无机和有机聚合物的双重性能。有机硅产品因具有电气绝缘、阻燃、耐辐射、耐腐蚀、耐高低温，以及生物相容性好等优良特性，在航天航空、军工器械、电子电气、医疗卫生、汽车、建筑、日用化学品等领域有着广泛的应用。而有机硅胶是具有粘接和密封功能的一类硅氧烷组合物，通过采用不同的有机硅聚合物、添加剂以及填料，可以在室温、加热或辐射固化后得到各种要求的硅胶复合材料。由于芯片散热不良会造成热量的积累，而传统有机硅胶散热效果不高、折射率低，这些问题都严重影响芯片的寿命和可靠性。因此如何利用新型材料提高芯片的散热性和折射率成为重要的研究课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供用于芯片封装的高折改性硅胶材料及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶26-30份、聚苯硫醚8-10份、二甲基苯胺3-6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1-0.5份、改性二氧化硅粉末0.1-0.5份、过氧化二碳酸二异丙酯0.1-0.5份、氧化铝0.1-0.5份、玻璃纤维2-6份。作为本专利技术进一步的方案：按照重量份的主要原料包括：改性硅胶27份、聚苯硫醚9份、二甲基苯胺5份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.3份、改性二氧化硅粉末0.4份、过氧化二碳酸二异丙酯0.3份、氧化铝0.3份、玻璃纤维5份作为本专利技术进一步的方案：所述改性硅胶的制备方法为：将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到。作为本专利技术进一步的方案：所述改性二氧化硅粉末的制备方法为：将聚多巴胺与二氧化硅粉末进行旋涡混匀，随后加入邻苯二甲酸二丁酯，7MPa下反应30min，冷却后烘干即得。所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料的制备方法，具体步骤为：（1）首先，将改性二氧化硅粉末、氧化铝和玻璃纤维80℃真空干燥6h，随后加入到改性硅胶中并搅拌均匀，使之分散得到混合体；接着，将混合体添加聚苯硫醚、二甲基苯胺和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，充分混匀后进行抽滤，放入到32℃烘箱干燥12h，得到混合物I；（2）然后，将混合物I与过氧化二碳酸二异丙酯进行水浴，水浴的温度为60℃-70℃，时间为15min-30min，随后加入到双螺杆挤出机，螺杆转速设定为354r/min，经过熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110℃下鼓风干燥2h，用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的高折改性硅胶材料。作为本专利技术进一步的方案：步骤（2）中水浴的温度为65℃，时间为21min。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术中用于芯片封装的高折改性硅胶材料综合性能优异，具有成型加工性好、折射率高、成本低廉等优点。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。实施例1一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶26份、聚苯硫醚8份、二甲基苯胺3份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1份、改性二氧化硅粉末0.1份、过氧化二碳酸二异丙酯0.1份、氧化铝0.1份、玻璃纤维2份；所述改性硅胶的制备方法为：将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到；所述改性二氧化硅粉末的制备方法为：将聚多巴胺与二氧化硅粉末进行旋涡混匀，随后加入邻苯二甲酸二丁酯，7MPa下反应30min，冷却后烘干即得。所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料的制备方法，具体步骤为：（1）首先，将改性二氧化硅粉末、氧化铝和玻璃纤维80℃真空干燥6h，随后加入到改性硅胶中并搅拌均匀，使之分散得到混合体；接着，将混合体添加聚苯硫醚、二甲基苯胺和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，充分混匀后进行抽滤，放入到32℃烘箱干燥12h，得到混合物I；（2）然后，将混合物I与过氧化二碳酸二异丙酯进行水浴，水浴的温度为60℃，时间为15min，随后加入到双螺杆挤出机，螺杆转速设定为354r/min，经过熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110℃下鼓风干燥2h，用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的高折改性硅胶材料。实施例2一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶27份、聚苯硫醚9份、二甲基苯胺5份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.3份、改性二氧化硅粉末0.4份、过氧化二碳酸二异丙酯0.3份、氧化铝0.3份、玻璃纤维5份；所述改性硅胶的制备方法为：将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到；所述改性二氧化硅粉末的制备方法为：将聚多巴胺与二氧化硅粉末进行旋涡混匀，随后加入邻苯二甲酸二丁酯，7MPa下反应30min，冷却后烘干即得。所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料的制备方法，具体步骤为：（1）首先，将改性二氧化硅粉末、氧化铝和玻璃纤维80℃真空干燥6h，随后加入到改性硅胶中并搅拌均匀，使之分散得到混合体；接着，将混合体添加聚苯硫醚、二甲基苯胺和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，充分混匀后进行抽滤，放入到32℃烘箱干燥12h，得到混合物I；（2）然后，将混合物I与过氧化二碳酸二异丙酯进行水浴，水浴的温度为65℃，时间为21min，随后加入到双螺杆挤出机，螺杆转速设定为354r/min，经过熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110℃下鼓风干燥2h，用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的高折改性硅胶材料。实施例3一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶30份、聚苯硫醚10份、二甲基苯胺6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.5份、改性二氧化硅粉末0.5份、过氧化二碳酸二异丙酯0.5份、氧化铝0.5份、玻璃纤维6份。；所述改性硅胶的制备方法为：将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到；所述改性二氧化硅粉末的制备方法为：将聚多巴胺与二氧化硅粉末进行旋涡混匀，随后加入邻苯二甲酸二丁酯，7MPa下反应30min，冷却后烘干即得。所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料的制备方法，具体步骤为：（1）首先，将改性二氧化硅粉末、氧化铝和玻璃纤维80℃真空干燥6h，随后加入到改性硅胶中并搅拌均匀，使之分散得到混合体；接着，将混合体添加聚苯硫醚、二甲基苯胺和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，充分混匀后进行抽滤，放入到32℃烘箱干燥12h，得到混合物I；（2）然后，将混合物I与过氧化二碳酸二异丙酯进行水浴，水浴的温度为70℃，时间为30min，随后加入到双螺杆挤出机，螺杆转速设定为354r/min，经过熔融挤出，水冷切粒得到粒料；接着，在110℃下鼓风干燥2h，用注塑机注塑成型，即得用于芯片封装的高折改性硅胶材料。对比例1一种用本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶26‑30份、聚苯硫醚8‑10份、二甲基苯胺3‑6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1‑0.5份、改性二氧化硅粉末0.1‑0.5份、过氧化二碳酸二异丙酯0.1‑0.5份、氧化铝0.1‑0.5份、玻璃纤维2‑6份。
【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶26-30份、聚苯硫醚8-10份、二甲基苯胺3-6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1-0.5份、改性二氧化硅粉末0.1-0.5份、过氧化二碳酸二异丙酯0.1-0.5份、氧化铝0.1-0.5份、玻璃纤维2-6份。2.根据权利要求1所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，按照重量份的主要原料包括：改性硅胶27份、聚苯硫醚9份、二甲基苯胺5份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.3份、改性二氧化硅粉末0.4份、过氧化二碳酸二异丙酯0.3份、氧化铝0.3份、玻璃纤维5份。3.根据权利要求1或2所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，所述改性硅胶的制备方法为：将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到。4.根据权利要求3所述的用于芯片封装的高折改性硅胶材料，其特征在于，所述改性二氧化硅粉末的制备方法为：将聚多...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志文，
申请(专利权)人：张志文，
类型：发明
国别省市：福建;35
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