【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种提高太赫兹量子阱光电探测器工作性能的方法，尤其是。本专利技术属于半导体光电器件
技术介绍
太赫兹(THz)波是指电磁波谱中频率从IOOGHz到30THz (ITHz = IO12Hz)，相应波 长从3毫米到10微米，介于毫米波与红外光之间的电磁波谱区域。长期以来由于缺乏高效 的THz源和高灵敏度的检测手段，使得这一波谱区成为整个电磁波谱中存留的唯一未被充 分开发利用的区域。THz技术应用的核心部件之一是THz探测器。目前发展较为成熟的THz探测器包括 广泛应用于THz时域谱技术的电光晶体探测器；基于LiTaO3晶体的单元和阵列焦热电探测 器，此类探测器有较高探测灵敏度、宽光谱响应范围和室温工作的优点；高灵敏度Si热释 电探测器；应用于宇宙微波、THz背景辐射观测的基于低温超导薄膜的约瑟夫森结和热电 子热释电外差THz探测器。基于半导体低维结构的太赫兹量子阱探测器(THzQWP)于2004 年研制成功。此探测器的材料体系为GaAs，器件结构包括上电极和下电极，之间有十几到几 十层GaAs/(Al，Ga)As多量子阱，掺杂的电子被束缚在量...
【技术保护点】
一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，所述一维光栅太赫兹量子阱光电探测器包括器件及器件表面的光栅，其特征在于，包括如下步骤：１）模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ↓［⊥］；２）根据所述波长λ↓［⊥］优化器件结构：在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度Ｌ为所述波长λ↓［⊥］的整数倍。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张戎，郭旭光，曹俊诚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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