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本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：１）模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；２）在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：１）模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；２）在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使...