【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及成像探测器件，尤其是红外、可见光波段至紫外波段的成像探测器件的结构、工作机制、设置和操作方法。
技术介绍
目前发展的成像探测器件主要是CXD和CMOS-APS，CXD器件基本工作原理与金属_氧化物_硅(MOS)电容的物理机理相关，CXD的基本组成单元是MOS电容器，其工作过 程主要是信号电荷的产生、存储、转移和检测。CCD是以电荷包的形式对信号进行存储、转 移的器件，它突出的特点是以电荷为信号，而不同于其它以电流或电压为信号的器件。CCD 工作时，由时钟脉冲电压来产生和控制半导体势阱的变化，进而实现电荷的存储和转移。 CM0S-APS，如中国专利 CN1774814 等。典型的可见光波段成像器件CXD规格和像素大小□ 最大规格 IOk χ IOk(DALSA)□ 最小像素2. 4微米(e2V)无法缩小□ 井深 IOOOe-/ μ τα典型CMOS-APS像素规格(CM0S-APS成像像素单元具有四大功能，光电子搜集与存 储、放大、复位、选址)□ 最大规格 4k χ 4k (0. 18 微米工艺，Raytheon etc.)□ 最小像素2. 8微米(...
【技术保护点】
光敏复合介质栅ＭＯＳＦＥＴ探测器的设置方法，其特征是每个单元探测器的构成是：在基底Ｐ型半导体材料上方的两侧设有Ｎ型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］、ＩｎＧａＮ１、金属膜或其它电子导体或半导体；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，第二绝缘介质是宽带半导体；基底Ｐ型半导体材料接触的第一绝缘介质层在栅极低压下，有效隔离源极和漏极之间沟道和光电子存储层，在栅极高压下或光子能量较高...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：阎锋，张荣，施毅，
申请(专利权)人：南京大学，阎锋，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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