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光敏复合介质栅ＭＯＳＦＥＴ探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底Ｐ型半导体材料上方的两侧设有Ｎ型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘...
该专利属于南京大学;阎锋所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学;阎锋授权不得商用。

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