【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子领域，涉及一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺。
技术介绍
随着微电子技术的迅猛发展，高性能、高集成度、多功能IC的研发对材料的要求 越来越苛刻，绝缘体上的硅(Silicon-on-insulator，SOI)材料是新型硅基集成电路材料， 能够满足微电子科技发展的要求，SOI技术具有电路高速度、高密度、抗辐射、低功耗、耐高 温等特点，同时具有工艺流程简单、集成度高、软误差率低等优势，是解决超大规模集成电 路功耗危机的关键技术，被誉为“21世纪的新型硅基集成电路技术”。SOI作为一种全介质隔离技术广泛应用于低压、低功耗、高速、高可靠集成电路领 域。但是由于材料的局限，其自身存在一些比体硅材料更为严重的缺陷，比如埋氧层无法有 效释放内部的热量导致的自热效应和由于埋氧层上界面处积聚的电荷抬高了体区电势形 成所谓了浮体效应等等，都制约了 SOI材料的进一步表现。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种SOI埋氧层下的导电层，该导电层可以 使SOI衬底避免产生浮体效应；此外本专利技术还提供一种SOI埋氧层下的导电层的制作工艺。为解决上述技...
【技术保护点】
一种ＳＯＩ埋氧层下的导电层，其特征在于：所述ＳＯＩ包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程新红，何大伟，王中健，徐大伟，宋朝瑞，俞跃辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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