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本发明公开了一种ＳＯＩ埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述ＳＯＩ包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。