相变存储器的数据读出方法及读出电路技术

本发明专利技术提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作，由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题，有效提高数据的读出速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种相变存储器的数据读出方法及读出电路。
技术介绍
相变存储器，是一种新型的阻变式非易失性半导体存储器，它以硫系化合物材料 为存储介质，利用加工到纳米尺寸的相变材料在多晶态(材料呈低阻状态)与非晶态(材 料呈高阻状态)时不同的电阻状态来实现数据的存储。相变存储器是基于Ovshinsky在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效应的 存储器，它一般是指硫系化合物随机存储器，又被称作奥弗辛斯基电效应统一存储器。相变 存储器作为一种新的存储器，由于其读写速度快、可擦写耐久性高、保持信息时间长、低功 耗、非挥发等特性，特别是随着加工技术和存储单元的尺寸缩小到纳米数量级时相变存储 器的这些特性也变得越来越突出，因此它被业界认为是最有发展潜力的下一代存储器。相变存储器中存储的数据(即相变单元的晶态或非晶态)要通过读出电路读取， 考虑到其呈现出来的直观特性为低阻或高阻态，因此，相变存储器都是通过在读使能信号 及读电路的控制下，向相变存储器存储单元输入较小量值的电流或者电压，然后测量存储 单元上的电压值或电流值来实现的。读出电路通过发送一个极低的电流值(电压值)给相变存储单元，此时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器的数据读出方法，其特征在于包括：读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电。

【技术特征摘要】
一种相变存储器的数据读出方法，其特征在于包括读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电。2.如权利要求1所述的相变存储器的数据读出方法，其特征在于包括当采用η级流 水线式数据读出方式时，读数据电路读取一条位线上被选择出的相变单元所存储的数据的 同时，预充电电路对η-1条位线进行预充电，其中，η大于1。3.如权利要求1或2所述的相变存储器的数据读出方法，其特征在于包括读数据电 路读取所述相变存储器第m条位线上被选择出的相变单元所存储的数据的同时，预充电电 路对第m+1至第m+η-Ι条位线进行预充电。4.一种相变存储器的读出电路，其特征在于包括包含多个第一传输门的读数据传输门组，其中，第一传输门的数目与相变存储器的位 线数目相同，以使所述相变存储器的每一位线都连接有一第一传输门；包含多个第二传输门的预充电传输门组，其中，第二传输门的数目与相变存储器的位 线数目相同，以使所述相变存储器的每一位线都连接有一第二传输门；至少一读数据电路，与所述读数据传输门组的各第一传输门相连接，以便通过各第一 传输门读取各位线上的相变存储单元所存储的数据；至少一预充电电路，与所述预充电传输门组的各第二传输门相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李喜，陈后鹏，宋志棠，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]