一种氧化硅／氧化铈复合磨粒的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氧化硅／氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：１）在硅溶胶中加入有机添加剂，搅拌溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；２）将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；３）反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最终制得氧化硅／氧化铈复合磨粒。采用本发明专利技术制得的氧化硅／氧化铈核壳复合磨料中没有均相成核的氧化铈粒子，该复合磨粒适用于超大规模集成电路和玻璃的化学机械抛光，其优点是有效提高抛光去除率和选择比，并可以降低表面的粗糙度，消除划痕等缺陷。

Method for preparing composite abrasive grains of silicon oxide and cerium oxide

The invention relates to a method for preparing silicon oxide and cerium oxide composite particles, which comprises the following steps: 1) mixing dissolved in silica sol with organic additives, and then adding trivalent cerium salt or tetravalent cerium salt system dispersion solution; 2) the dispersion in the autoclave with Teflon liner, seal after the heating reaction; 3) reaction after centrifugal separation, purification and drying, the final prepared cerium silicon / oxide composite abrasive. The composite abrasive silicon oxide / cerium oxide core-shell prepared by the invention is not homogeneous cerium oxide particle nuclear, chemical mechanical polishing of the composite abrasive suitable for VLSI and glass, the utility model has the advantages of effectively improving the polishing removal rate and selectivity, and can reduce the surface roughness, remove the scratch other defects.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属高精密抛光材料领域，具体涉及。
技术介绍
目前化学机械抛光中最常用的抛光磨料是氧化硅磨料和氧化铈磨料。氧化硅磨料由于其 较好的分散性、均匀性和低廉的价格成为目前最广泛采用的化学机械抛光磨料，而且后清洗 过程废液处理较容易。但其缺点是相对于氧化物来说硬度稍低，去除率较低，并且在STI的 抛光中氧化硅与氮化硅之间的去除率选择比较低，己很难满足下一代IC制造的要求。氧化铈磨料由于其可与氧化硅发生化学反应，故在相同条件下，氧化铈的抛光速率大约 是氧化硅的三倍，尤其是在中性抛光液中保持较高的去除率，且在氧化硅与氮化硅之间的抛 光选择比较高。但其缺点是价格较贵，颗粒不规则，大小不一，粒度分布较大，黏度大，容 易团聚，会造成划伤，且其沉淀在介质膜上吸附严重，为后清洗带来困难。综合考虑，氧化 铈磨料也不能满足下一代IC制造的要求。因此，氧化硅/氧化铈核壳复合磨料由于兼具氧化硅和氧化铈的优越的性能已被广泛研 究。Zhenyu Lu等人在《Joumal of Materials Research》2003， 18(10): 2323-2330中研究了制 得了氧化硅/氧化铈混合磨料，并对热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化硅／氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：　　１）在硅溶胶中加入有机添加剂并溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；　　２）将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；　　３）反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最终制得氧化硅／氧化铈复合磨粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽芳，刘卫丽，宋志棠，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]