本发明公开了一种SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成交替排列的N型和P型柱区，作为漂移区的横向超结结构；然后利用多次离子注入方式对所述顶层硅中除漂移区以外的部分掺杂...

本发明涉及一种采用无源加载方式控制副瓣电平的有源相控阵天线，其特征在于所述的有源相控阵天线的阵面是由有源加载单元和无源加载单元共同组成，无源加载单元位于有源加载单元的四周；每个有源加载单元通道由独立的矢量调制器和低噪声放大器控制，每个矢...

本发明涉及一种基于纳米探针的微流体芯片检测微量蛋白的方法，其特征在于采用标准的光刻工艺实现微结构的制作，用玻璃片(点有DNA探针)与微结构封接制备了所需的微流体芯片；在纳米金颗粒上同时标记单克隆二抗及信号放大作用的Barcode?DNA...

本发明涉及一种用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法，包括：(1)应用分子束外延生长技术，在导电衬底上生长缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层的外延结构，然后连续生长一层铍高掺杂或δ掺杂的异质窄禁带薄层作为扩散源层；(2)用常规图形...

本发明涉及一种基于核酸横向流试纸条检测单核苷酸多态性的方法，包括：(1)核酸横向流试纸条的制备；(2)取待测样本，变性，退火；取水、纳米金探针溶液、连接探针、Taq?DNA连接酶缓冲液和Taq?DNA连接酶，打匀，得混合液；向混合液中加...

本发明涉及一种手持式生物荧光检测仪及检测方法。其特征在于所述的手持式仪器包括：光学检测模块1、信号采集模块2、信号处理模块3、信号显示及传输模块4和电源模块5。该手持式仪器的检测方法特征在于：光学检测模块1将待检测的生物荧光信号转化为电...

本发明公开了一种用于双波束交通信息检测雷达的平面阵列微波天线，该天线由一组20个平面天线单元串联后，与另一组串联的20个平面天线单元并联构成，采用中心侧馈方式对天线阵列馈电，本发明的优点是一副天线能同时产生2个波束主瓣，2个主瓣之间具有...

一种双波束三天线微波交通信息检测雷达和方法，该雷达基于FMCW体制，采用同一VCO通过射频开关实现相关双路微波信号，并结合特殊算法实现准确交通信息检测，硬件方面采用中心频率在24.1GHz左右的毫米波，主要由3个平面阵列天线、2路微波发...

本发明提出一种用于全息成像安检系统的毫米波收发模块，包括毫米波射频收发前端1、毫米波收发开关树2以及毫米波收发天线阵列3。毫米波射频发射前端通过发射开关树的快速电子切换，经毫米波发射天线阵列，顺序向被检目标发射毫米波信号；目标反射的散射...

本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷...

本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成，每...

本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转...

本发明涉及一种基于荧光共轭聚合物激光效应的化学传感器、方法及其应用。所述的传感器包括微谐振腔和与之结合的荧光共轭聚合物荧光聚合物既用作传感材料，同时作为激光增益介质，采用脉冲激光对其进行泵浦，在各种微谐振腔的调制下，产生受激辐射的激光输...

本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S?iy(S...

本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位于沟道两端，所述...

本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大...

本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封...

本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光...

本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料TiO2和重量百分比为70-98％的相变材料Ge2Te3，由于Ge2Te3相变材料与TiO2在纳米尺度...

本发明公开了一种基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法，该振荡器包括：SOI衬底以及制作在SOI衬底上的CMOS器件；所述CMOS器件包括：NMOS器件和PMOS器件；所述NMOS器件的沟道采用(100)晶面硅材料，所述P...