【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种复合相变材料硅锑碲，用于纳米晶电阻转换存储器的应用，属于 半导体存储材料领域。
技术介绍
张挺等人提出了一种纳米晶电阻转换存储器(中国专利电阻存储器装置，申请 号201010127277. 2)，这种电阻转换机理与电阻随机存储器和相变存储器类似却又不同的 存储类型。具体表现在首先，这种存储器也是通过高、低电阻的变化来实现逻辑数据的存 储，这是共同点；而不同点在于，几种存储器电阻转换的机理。电阻随机存储器的机理虽然 尚不明朗，但是多数人认为是来自于作为存储材料的强关联材料在电信号作用下的电阻变 化，相变存储器的机理是建立在相变材料在非晶态和多晶态之间的可逆转变，在材料的相 变的过程中，虽然可能在多次操作后，存在局部一定的组份偏析，然而总的来说材料的组份 是均勻的，非晶和多晶的材料的组份是均勻的，不同区域的材料也是均勻的。然而，在纳米 晶电阻转换存储器中，材料却存在复合效应，即在材料中存在至少两个相组份完全不同的 物相，两相之间互不扩散，互不进入对方的晶格，而是相互排斥，通过电信号的作用，其中的 一物相能够在电信号的作用下实现电阻的变化，而另外的一...
【技术保护点】
１．一种硅锑碲复合相变材料，用于纳米晶电阻转换存储器，其特征在于：该硅锑碲复合相变材料的化学式为Ｓｉｙ（ＳｂｘＴｅ１－ｘ）１－ｙ，０．５≤ｘ≤０．９，０＜ｙ≤０．４；其由功能材料Ｓｉ和相变材料ＳｂｘＴｅ１－ｘ作为两个相互分散的物相复合而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张挺，宋志棠，刘波，封松林，陈邦明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31
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