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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作及检测方法技术
本发明涉及一种用于重金属检测的镀铋金微阵列电极的制作和检测方法,其特征在于金微阵列电极的制作机器镀铋工艺,镀铋工艺采用0.015mol/LBi(NO3)3·5H2O+1mol/L?KNO3+1%HNO3电镀重金属时加入磁力搅拌提高电镀效...
电荷泵及工作方法技术
本发明揭示了一种电荷泵及其工作方法,所述电荷泵包括参考电压发生电路、电压比较器、时钟发生器、电荷转移电容、稳压电容、第一开关、第二开关、第三开关、及第四开关;通过对电荷转移电容充电,并将充电完毕的电荷转移电容上的电荷转移到电荷泵输出端上...
半定量同时检测cTnI和Myo的免疫层析试纸条及其制备制造技术
本发明涉及一种半定量同时检测cTnI和Myo的免疫层析试纸条及其制备方法,试纸条包括底板、硝酸纤维素膜、第一结合垫、第二结合垫、样品垫和吸水垫。制备方法包括在底板上依次相互交错黏贴经预处理的硝酸纤维素膜、第一结合垫、第二结合垫、经预处理...
脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法,该装置包括光源部分、光路部分和探测部分;太赫兹量子级联激光器发出的太赫兹光通过该测量装置抵达太赫兹量子阱探测器,接收并产生相应的电流信号;信号处理电路将该电流信号提取为...
一种毫米波功率放大器的参数自动测试方法与测试系统技术方案
本发明公开了一种毫米波功率放大器的参数自动测试方法与测试系统,该系统包括:待测件毫米波激励信号功率控制单元与待测件毫米波激励信号发生单元相连,待测件毫米波激励信号检测单元与待测件毫米波激励信号功率控制单元相连,待测件的输入端与待测件毫米...
一种槽型原子气体腔及其构造的原子钟物理系统技术方案
本发明涉及一种槽型原子气体腔及其构造的原子钟物理系统。所述的槽型原子气体腔由设有槽的硅片和Pyrex玻璃片键合围成腔体结构构成;该腔体结构用于充入碱金属原子蒸汽和缓冲气体;所述槽的横截面为倒梯形,该槽包括底面和与底面成夹角的侧壁。所述的...
用于毫米波全息成像系统前端的跳频频率合成器技术方案
本发明涉及一种用于毫米波全息成像系统前端的跳频频率合成器。它由多路锁相环回路,单刀多掷开关,倍频器和单片机组成。单片机控制多路锁相环回路的跳频及单刀多掷开关的打开或关闭。所述的多路锁相环路包括N个单路锁相环回路,N路数越多则整个跳频源的...
非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置制造方法及图纸
本发明公开一种非静止轨道卫星DQPSK通信的相干解调装置。该装置对接收天线和射频系统输出的初始信号进行下变频和低通滤波处理,然后通过旋转解差分操作来消除多普勒频移。在完成解差分处理后,将信号送入位同步环路完成比特位同步,再送入锁相环进行...
一种基于纳米金增强的多种肺癌标志物的高灵敏检测方法技术
本发明是一种基于纳米金增强的多种肺癌标志物。高灵敏度检测方法,检测步骤为:1)先将各待测蛋白质的捕捉抗体点样到醛基修饰的基片上;2)然后在纳米金上标记上待测蛋白的多克隆或单克隆检测抗体;3)将标记好待测蛋白质捕捉抗体的蛋白芯片及纳米金生...
一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法技术
本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法,其特征在于首先以硅片为基底,热氧化形成二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu,之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In,Cu层厚度为3-5微米,而后Sn-Ag焊料电...
一种基于无线传感器网络的有毒气体监测系统技术方案
本发明涉及一种基于无线传感器网络的有毒气体监测系统,包括气体传感器、监测终端、气象传感器、传感器节点和汇聚节点;气象传感器用于气象信息;气体传感器用于接收有毒气体信息信号,对有毒气体信息信号进行处理,并将处理的结果传输给传感器节点;传感...
毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统与测试方法技术方案
本发明公开了一种毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统与测试方法,该方法包括:初始化毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统;校准毫米波段非接触式传输特性的自动测试系统,完成无待测件情况下的空间传输特性测试,获得校准状态下的测试信息;完成...
采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法技术
本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁,用硅衬底作为栅极,腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙,硅衬底、间隙与纳米梁形成MIS电容...
基于各向异性复合材料的信息存储方法技术
本发明提供一种基于各向异性复合材料的信息存储方法,其首先将介电常数为各向异性的复合材料的一表面与介电常数为同性的第一普通材料相接触,再使光信号自所述复合材料的另一表面入射至所述复合材料与所述第一普通材料相接触面上,以使所述光信号的能量被...
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法技术
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法,用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的晶向占优的金膜、位于晶向占优的金膜上的单分子层以及位于...
一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法技术
本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法,该双极晶体管包括SOI衬底,所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区,SOI衬底隐埋氧化层,顶层硅膜,所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区,有源区位置处通...
用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法技术
本发明公开了一种用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法。所述ESD保护结构包括直接连接SOI衬底体区的外延硅层;外延硅层的两侧为侧氧隔离墙,所述侧氧隔离墙用以划分ESD保护结构与本征有源结构;外延硅层的顶部左右两端分别为...
一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及其制作方法技术
本发明涉及一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及制作方法,其特征在于薄膜锂电池组成为:①在玻璃衬底表面溅射一层Al薄膜;②在Al薄膜表面溅射沉积一层氮化镍钴薄膜,作为阳极薄膜,氮化镍钴薄膜的组成通式为ComNi1-mN(0<m<1);③在氮化...
一种薄GOI晶片及其制备方法技术
本发明提供一种薄GOI晶片及其制备方法,本发明采用高低温生长Ge薄膜的方法,使穿透位错等缺陷被限制在一个薄层内,并结合SmartCut技术,实现了一种顶层Ge薄膜厚度几十纳米至上百纳米可控的GOI衬底的制备,该GOI衬底结合了Ge材料和...
基于物联网技术的智能保险箱安防检测系统技术方案
本发明公开了一种基于物联网技术的智能保险箱安防检测系统,包括前端探测部分、网络传输部分、数据平台部分、应用服务平台部分四部分,系统中的前端探测部分实时探测保险箱的异常变化,当保险箱有异常情况发生时,传感器、探测器将数据通过网络传输部分传...
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