本发明公开了一种基于太赫兹量子阱探测器的被动式热成像探测系统及方法，利用光电导型太赫兹量子阱探测器作为探测器，采用自行设计的辐射信号去噪调制方法，同步控制模块和信号传输-汇聚光路，完成了基于THzQWP的被动式热成像探测。在热辐射信号的...

本发明涉及一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及制作方法，传感器的结构包括：衬底框架，隔热腔体，加热膜区，支撑悬梁，加热电阻丝，供电引线，供电电极，叉指电极，探测引线，探测电极，和敏感膜。其结构特征为：位于隔热腔体上方的加热膜区...

本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法，该电路包括脉宽调制电流源电路，脉频调制电流源电路，振荡器电路，时序控制电路，采样反馈电路；所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比；所述脉频调制电流源电路用...

本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改...

本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为...

本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采...

本发明涉及一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器，包括选通管和与之连接的阻变存储单元，所述阻变存储单元至少包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变存储介质，其中所述选通管为宽带隙半导体二极管，所述宽带隙半导体二极...

本发明涉及一种基于毛细作用的微泵其使用方法，其特征在于所述微泵由毛细泵腔、分隔阀、进样微管道和储液微腔组成，其中毛细泵腔为一个微管道网络；分隔阀为一段连接毛细泵腔和进样微管道的微管道或微腔；进样微管道为一段处于进样口和储液微腔之间的微管...

本实用新型涉及一种传感器网络信息处理支撑服务标准化验证测试平台，包括待测网络(1)、测试网络(2)和测试服务器(5)，所述的测试服务器(5)分别连接测试网络(2)、侦听节点(3)、信息事件发生器节点(4)和测试用例集(6)，所述测试网络...

本发明提供一种数字模拟混合移相电路。该数字模拟混合移相电路包括相连接的模拟式移相器与数字式移相器。其中，所述模拟式移相器具有第一控制端及第一信号输入端，用于根据所述第一控制端接入的相位控制信号对所述第一信号输入端接入的信号进行相应相位的...

本发明涉及相变材料及其制备方法，尤其是可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100...

本发明公开了一种在衬底上开具沟槽，再利用这些沟槽对石墨烯进行图形化的方法。该方法包括如下步骤：利用微加工技术中的深反应离子刻蚀、微切割技术或湿法腐蚀在衬底上制作出以沟槽为边界的图形结构；将无支撑的大面积石墨烯薄膜从溶液中转移到具有沟槽的...

本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻...

本发明涉及一种围栏防入侵无线传感网系统，包括至少两个倾角传感器节点，所述的倾角传感器节点安装在可晃动围栏上，并且组成自组织多跳网络；所述的倾角传感器节点用于监测是否有入侵行为，并将监测的结果发送给监测终端。本发明通过大量的倾角传感器节点...

本发明涉及一种含有数字合金位错隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备方法，在组分渐变缓冲层中插入n层数字合金位错隔离层材料。制备方法，包括：调节束源温度，在衬底上生长一层组分渐变缓冲层，按当前渐变组分通过生长短周期超晶格构成数字合...

一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；碳...

本发明涉及一种具有非均匀线宽加热电阻丝的矩形微型加热器及方法，所述的微型加热器包括：衬底框架，矩形加热膜区，支撑悬梁，梯形过渡区，折线形加热电阻丝，引线，接触电极，和隔热腔体。其特征在于矩形加热膜区通过过渡区和支撑悬梁与衬底框架相连，折...

本发明涉及一种具有非均匀线间距加热电阻丝的矩形微型加热器及方法，所述微型加热器包括：衬底框架，矩形加热膜区，支撑悬梁，梯形过渡区，折线形加热电阻丝，引线，接触电极，和隔热腔体。其特征在于矩形加热膜区通过过渡区和支撑悬梁与衬底框架相连，折...

本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质层以形成多个分别...

本发明公开了一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法。该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布之间的可逆变化，...