中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明涉及一种加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法。该芯片包括一块单晶硅基片和均集成在该单晶硅基片上的加速度传感器及压力传感器;采用单硅片单面微加工方法把压力和加速度传感器集成在该单晶硅基片的同一表面,通过侧壁根部横向刻蚀技术形成...
  • 本发明公开了一种射频单刀多掷开关及用于毫米波全息成像的开关阵列。该射频单刀多掷开关包括:开关芯片、射频匹配电路和直流偏置匹配电路;其开关芯片由PIN开关二极管串联组成多条开关通路;通过直流偏置控制PIN开关二极管的截止与导通,从而控制各...
  • 本发明公开了一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法,该方法包括在SiGe层表面淀积一层Al薄膜,并在Al薄膜上淀积出一Ni层,然后进行退火工艺,使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应,生成NiSiGe材料。因为Al插入层的...
  • 本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法,该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜,然后进行退火工艺,使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应,生成NiSiGe材料。因为Al原子的阻...
  • 本发明提供一种相变存储阵列的位线结构,该结构中所有位线分处于不同的布线层,例如,相邻两位线中的一者处于第一布线层、而另一者处于第二布线层,或者相邻两位线中的一者的一部分处于第一布线层、另一部分处于第二布线层,而相邻两位线中的另一者的一部...
  • 本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域,从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制,大大增加了晶界数,增大了复合材料的电阻率,使得复合材料拥有...
  • 本发明提供一种基于太赫兹量子器件的透射成像装置及成像方法,该装置包括光源部分、光路部分、检测部分;光源部分包括驱动电源、第一冷头、安装于第一冷头内的第一热沉、安装于第一热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于第一冷头上的第一聚乙烯窗片;光路...
  • 本实用新型涉及一种多功能生化分析仪,包括电流采集电路、信号放大电路、控制电路、数据存储电路和触摸屏,所述电流采集电路、信号放大电路、控制电路和数据存储电路依次相连,所述触摸屏和控制电路相互连接,所述多功能分析仪还包括与所述控制电流相连的...
  • 本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法,属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构,或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形...
  • 本发明涉及一种低复杂度高效的信道估计算法,包括以下步骤:(1)在信道估计处对信号X进行矩阵对角化,根据X=PΛXP-1求出厄米特矩阵P和对角矩阵ΛX;(2)采用MMSE算法进行信道估计,得到信道估计矩阵其中,是噪声方差,是LS信道估计,...
  • 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺,其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合,以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑;②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度;③再通过砷化镓湿法腐蚀方法...
  • 本发明涉及一种单载波频率均衡基带系统混合自动重传请求通信方式的设计方法,其特征在于在普通单载波频率均衡基带系统前向纠错通信方式的前提下,分析了它的不足之处,接着结合HARQ相关的技术原理,以一个超帧作为一个单位,将每一帧数据信息传至接收...
  • 本发明涉及一种微型振动传感器阵列及其在地面目标跟踪中的应用,其特征在于它是一个PCB电路板上集成封装有多个微型化的相同MEMS震动传感器芯片,相应的震动信号处理电路也集成在同一PCB板上。多个震动传感器芯片以十字阵的方式布设组成一个微型...
  • 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法,以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源,采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的...
  • 本发明涉及一种中远程无线传感网组网系统,包括至少2个端机和至少2个基站,所述组网系统采用TCP/IP局域网组网方式,所述端机的无线发射端和基站的无线接收端均作为独立主机,所述端机和基站的无线端设定在同一个网段,所述基站的无线端作为网关主...
  • 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构,包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽,其中,所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设...
  • 本发明提供一种应用于OFDM系统中的信道估计自适应的切换方法,其特征在于针对当前常用的最小平方和最小均方误差两种信道估计算法各自的优点以及存在的不足之处,提出了一种自适应的信道估计方法。首先通过对接收端射频部分的功率控制模块对接收到的每...
  • 本发明提供一种在锂离子电池隔膜上连续镀膜的方法。其特征在于借助于由卷绕镀膜机实现的将整卷的锂离子电池隔膜放入卷绕镀膜机的卷绕机构上,将合适的磁控溅射阴极靶放入镀膜室,根据镀膜工艺调节好卷绕速度、溅射功率等参数。镀膜室抽真空,开机进行溅射...
  • 本发明提供一种利用低粘滞度材料单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法,晶体模板的制作方法包括:提供具有第一晶格常数的第一晶体层;在第一晶体层上生长缓冲层;在缓冲层的熔点温度之下,在缓冲层上依序执行第二晶体层生长工艺和第一次模板层生长...
  • 本发明提供一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法,所述存储单元采用两个金属-氧化物-半导体场效应管组合,其中一个具有P型掺杂源区的场效应管作为电荷的提供者和存储者,另一个场效应管则作为存储状态的感知者。本发明的存储单元具有快读...