本发明提供一种WSN中基于SDMA的数据采集动态拓扑控制方法，包括：移动Sink进行信道测试，确定兼容节点对；计算获得全局网络的数据上载点与兼容节点对的对应关系；利用最大加权配对算法筛选出具备最大生存期的兼容节点对集合作为匹配节点对集合...

本发明涉及一种应用于无线传感器网络中的信道估计方法，包括以下步骤：提取导频经过信道后的信号；利用最小二乘算法对信道参数进行估计；通过虚载波替换消除空闲载波对边缘信道参数，即两端的保护带的虚载波信道参数取与其相邻子载波的信道参数的最小二乘...

本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材料中，碲的原子百...

本发明揭示了一种可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法，所述相变材料为锡、锑、碲三种元素组成的存储材料。所述存储材料中，锡的原子百分比含量为0.1–90％，碲的原子百分比含量为0.1–90％；进一步对相变材料SnxSbTey进行...

本发明涉及一种应用于无线传感网的自适应路由选择方法，所述网络内各传感器节点建立路由时，根据网络的拓扑结构来自适应的在表驱动路由协议和按需驱动路由协议间切换。在各节点中使用StaCount这一变量表征网络拓扑结构的稳定程度，默认使用按需驱...

本发明涉及一种基于各向异性磁回旋媒质的可调控单向波导控制方法，包括以下步骤：将两块磁导率为张量的各向异性磁回旋媒质材料表面相接触，以形成磁畴壁，并确定好准备作为传输波导的磁畴壁的平面；对两块磁回旋媒质外加磁场，磁场方向为平行于磁畴壁且垂...

本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面...

本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本发明针对COMS...

本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)...

本发明涉及一种微机械圆盘谐振器及制作方法，所述制作方法为先制作出衬底硅片上固定谐振振子的锚点以及释放谐振振子结构的凹腔；随后将器件结构层键合在衬底硅片上，并对结构层进行减薄及制作金属焊盘之后；再利用干法刻蚀在结构层上制作出谐振器的器件结...

本发明涉及一种GaAs?CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③...

本发明涉及一种十纳米量级尺寸及误差光学检测方法，包括以下步骤：利用数字成像显微器件对被测对象进行数码成像；提取数码成像中与被测对象尺寸信息对应的像素位置坐标及强度信息，作为目标信息进行处理统计；根据统计结果获得所需的被测对象的相关尺寸参...

本发明涉及双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法，其特征在于(1)双器件层SOI硅片为弹性梁-质量块结构的基片；(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边；(3)弹性梁为直梁，其一端与质量块相连，另一端与支撑框架相连...

本发明涉及一种多参数水质监测集成微阵列电极及制备方法，其特征在于所述的微阵列电极制作在氧化硅片上。该阵列电极衬底为Pt薄膜，光敏性聚酰亚胺为绝缘层，光刻将电极位点裸露出来，其他部分绝缘；采用电化学修饰的方法在裸露电极上电沉积Ag/AgC...

本发明提供一种超低功耗上电复位电路。该电路至少包括：基于阈值对电源电压进行采样以输出采样信号的电源采样电路；用于将所述采样信号整形为阶跃信号且与所述电源采样电路构成正反馈连接的整形电路；用于将所述阶跃信号予以延迟的延迟电路；用于基于所述...

本发明提供一种半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法，包括：提供具有负微分漂移速度效应的半导体纳米器件，将电压的直流电场作用于半导体纳米器件，使得半导体纳米器件产生电流振荡并进入周期性的自振荡状态，自振荡频率为；对半导体纳米器...

本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述...

本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸发或溅射钛、金膜...

本发明公开了一种用于相变存储器的-纳米复合相变材料，该材料由相变材料与复合而成，其化学式为，其中,。本发明通过在相变材料中掺入，使得具有可逆相变能力的相变材料被非晶态隔离成纳米尺度的区域，形成复合结构；提升了相变材料的电阻率和结晶温度，...

本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接...