本发明提供一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法，属于微电子与固体电子领域，该方法包括：在单晶硅衬底上生长一层高质量的SiO2，然后在该SiO2层上旋涂一层高聚物作为制备石墨烯的碳源；再在高聚物上淀积一层催化金属，通过高温退火，在所...

本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO2层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、SixGeyCzSn1-x-y-z、III-V族等半导体材料，填充所述孔道并形成半导体层，以获得性能优异的半导体层，在所述半导...

本发明提供一种微机械磁场传感器及其制备方法，属于微机电系统领域。该方法通过在器件结构层上制作出金属线圈及焊盘，然后利用干法刻蚀制作出器件结构，并将器件结构进行释放以形成谐振振子。本发明提出的微机械磁场传感器的谐振振子工作在扩张模态，因而...

本发明提供一种太赫兹波的高速探测方法及装置，该装置包括对太赫兹波进行直接强度探测的THzQWP和为THzQWP提供偏置电压并将其产生的光电流转换成电压信号的跨阻放大电路；为了便于跨阻放大电路的参数设计，本发明提出了THzQWP的小信号集...

本发明提供一种微机械传感器及其制作方法，采用湿法硅腐蚀技术在硅衬底中刻蚀出两倒梯形结构的深腔以及其所夹的正梯形结构的硅块，通过圆片键合技术实现敏感膜和硅块的物理连接，然后通过对硅衬底底部进行刻蚀使所述硅块底部悬空作为质量块，接着采用真空...

本发明提供了一种适用于智能电网的分布式无线信道分配方法及装置，通过终端用户依据信道，建立与基站之间的连接，然后当发送干扰后，终端用户通过控制信道，发送反馈信息至基站，接着基站接收到反馈信息后，将对可用信道进行扫频，利用广播帧通知受干扰的...

本发明涉及一种物联网节点及其微型化集成方法，所述物联网节点由5片高效太阳电池、1片聚合物锂离子电池，1片总控制电路板，1块无线发送电路及各类传感器组成。总控制电路，聚合物锂离子电池和无线发送电路采用MCM封装方式叠放互联，每一层通过双列...

本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘...

本发明提供一种CMOS器件及其制作方法，于具有SiO2层的Si衬底中分别形成第一深度的第一凹槽及大于所述第一深度的第二深度的第二凹槽，于所述第一凹槽及第二凹槽内分别形成Ge层、止刻层以及Ⅲ-Ⅴ族半导体层，然后采用选择性腐蚀技术刻蚀上述结...

本发明介绍了一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法，包括：首先提供一GaAs晶片作为衬底，并对其进行清洗，将处理好的GaAs衬底晶片放入ALD反应腔；然后利用等离子体对GaAs衬底进行等离子体原位预处理，紧接着沉积高K栅介质...

本发明涉及微透镜模具结构及制作方法，包括以下步骤：在抛光的硅衬底正面和背面沉积氧化硅作为腐蚀掩膜材料，在硅衬底背面制作出腐蚀窗口图形；从所述硅衬底背面腐蚀硅衬底，形成腐蚀腔体，同时形成悬浮硅薄膜；将具有悬浮硅薄膜结构的结构衬底和支撑衬底...

本发明提供一种光子晶体及其制备方法，首先提供包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层的AAO模板，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，并去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，然后键合一半导体...

本发明涉及一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。其特征在于：溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3)；所溅射的背面金属的热膨胀系...

本发明公开了一种晶向旋转键合晶片的制备方法，该方法包括以下步骤：首先取两片相同晶向的体硅晶片，在其中一片体硅晶片上生长固定组分的SiGe层，在SiGe层上继续外延生长Si膜层形成器件片，另一片体硅晶片作为支撑片；然后将器件片和支撑片的表...

本发明公开了一种基于LTE的子带跳频外部干扰避免系统及方法，该系统包括：初始化模组，用于将小区的整个频谱分为M个子带，该小区中的所有用户根据其地理位置分为N个簇，其中满足M≥N，在一个簇内，设定其中的一个用户为簇头，基站给每个用户分配一...

本发明公开了一种基于无线多跳网络的通信系统及方法，该系统包括：频带划分模组，将整个频带划分为上频带、中频带及下频带，并确定频带使用规则；控制信道生成模组，根据该频带使用规则令每个移动台生成至少四个相互正交的控制信道以用于控制信令的传输；...

本发明提供一种微机械磁场传感器及其制备方法，属于微机电系统领域。该方法通过在器件结构层上沉积一具有接触孔的牺牲层，然后在所述牺牲层上制备金属线圈，接着腐蚀掉所述牺牲层，最后利用干法刻蚀制作出器件结构，并将器件结构进行释放以形成谐振振子，...

本发明涉及一种光伏探测材料缺陷与器件性能关联性的系统表征方法，包括以下步骤：根据光伏探测材料的种类和特性设计测试芯片和进行制样封装构成测试样品；对所述测试样品的光电特性进行测量表征；在同一测试样品上用电子束感生电流/扫描电镜或阴极荧光/...

本发明提供了一种双面平行对称梁质量块结构及其制备方法，属于微电子机械系统领域，该方法通过利用双面正反对准光刻工艺在双抛(100)硅片上形成双面平行对称梁质量块图形区域，然后进行干法刻蚀和湿法各向异性刻蚀，悬臂梁的（111）面作为腐蚀终止...

本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部...