用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明专利技术立足于相变材料非晶态的稳定性问题，通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例，在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能。Nx（GeyTe1-y）1-x与传统的Ge2Sb2Te5材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力，为相变存储器在航天航空领域的应用打好基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是ー种微电子
的相变存储材料及制备方法，更确切的说是一种用于高温环境的N-Ge-Te的相变存储材料及制备方法。
技术介绍
相变存储技术是近几年才兴起的ー种新概念存储技术，它利用相变薄膜材料作为存储介质来实现数据存储，具有广阔的应用前景，是目前存储器研究的ー个热点，被认为最有希望成为下一代主流存储器。作为相变存储器(PCRAM)的核心部分，相变薄膜材料的研发在PCRAM的研发中起到了至关重要的作用。相变材料性能的提升是提升整个PCRAM器件性能的关键技木。在相变存储器中，Ge2Sb2Te5是典型的相变材料，但在应用当中发现，Ge2Sb2Te5材料在相变时有较大的密度变化，结晶速度不佳，一般为几百ns，另外其结晶温度较低，为160°C左右，十年保持温度仅 80°C，严重阻碍了此材料在相变存储领域的广泛应用。可见，Ge2Sb2Te5并不是最优秀的相变材料，特别是征对某些特定环境要求的应用。研究开发新的相变材料使器件同时具有操作速度快、高可靠性、高密度、热稳定性强、低成本等多种优点或者在单方面应用上具有突出性能，成为目前急需解决的问题。当前PCRAM的关键问题之一就是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭程，吴良才，饶峰，宋志棠，周夕淋，朱敏，刘波，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：