本发明公开一种半导体装置及其制造方法，半导体制造方法包括提供自基板延伸的多个鳍片。多个鳍片中的每一者具有顶表面及两个相对横向侧壁。在多个鳍片中的每一者的第一区域上方形成栅极结构及栅极结构作为顶表面与两个相对横向侧壁的介面。在多个鳍片中的...

本发明涉及形成金属互连的方法。具体而言，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上方形成介电层，在所述介电层中形成渠道，在所述渠道中形成第一阻障层。所述第一阻障层具有沿着所述渠道的侧壁安置的第一部分和安置在所述渠道的底部上...

本发明提供了半导体器件结构。该半导体器件结构包括具有第一表面、第二表面和凹槽的第一半导体衬底。第二表面与第一表面相对。该凹槽穿过第一半导体衬底。该半导体器件结构包括位于第二表面上方的第一布线层。该半导体器件结构包括第一接合焊盘，该第一接...

本发明实施例提供了一种用于背面处理(BST)的刷子。刷子包括基座部分和刷部分。刷部分连接到基座部分。刷部分有多个设置在远离基座部分的表面上的槽，槽的至少一个具有至少部分位于表面的边缘的至少一个开口端。本发明实施例涉及刷子、背面处理组件和...

本发明公开一种掩膜及其制造方法，掩膜包括具有第一区域、第二区域及第三区域的掺杂基板。掺杂基板在第一区域中具有第一厚度以界定第一掩膜状态及在第二区域中具有第二厚度以界定第二掩膜状态。第二厚度与第一厚度不同。掩膜亦包括第三区域上方所安置的吸...

一种鳍式场效应晶体管Fin FET装置包含沿第一方向延伸且从安置在衬底上的隔离绝缘层突出的鳍片结构。所述鳍片结构包含阱层、安置在所述阱层上方的氧化物层及安置在所述氧化物层上方的通道层。所述Fin FET装置包含覆盖所述鳍片结构的一部分且...

本发明涉及在5nm或更小的半导体技术节点中制造半导体器件的方法。形成延伸穿过衬底上方的多个层的开口。在开口的表面上形成阻挡层。在开口中的阻挡层上方形成衬垫层。阻挡层和衬垫层具有不同的材料组分。利用非铜金属材料填充开口。在衬垫层上方形成非...

本发明提供了三维集成电路结构，包括第一管芯、衬底通孔和连接件。第一管芯接合至第二管芯，其中，第一管芯的第一介电层接合至第二管芯的第二介电层，其中，第一钝化层位于第一管芯的第一介电层和第一衬底之间，且第一测试焊盘嵌入在第一钝化层中。衬底通...

实施例是方法，所述方法包括形成第一封装件。形成第一封装件包括邻近第一管芯形成穿孔，使用密封剂至少横向地密封第一管芯和穿孔，以及在第一管芯、穿孔和密封剂上方形成第一再分布结构。形成第一再分布结构包括在穿孔上形成第一通孔，以及在第一通孔上形...

根据一些实施例，本发明提供了一种制造集成电路的方法。该方法包括：提供在第一介电材料层中具有第一导电部件的衬底；选择性地蚀刻第一导电部件，从而在第一导电部件上形成凹进的沟槽；在第一介电材料层上、第一导电部件上和凹进的沟槽的侧壁上形成蚀刻停...

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括提供前体。该前体包括：衬底；位于衬底上方的栅极堆叠件；位于栅极堆叠件上方的第一介电层；位于栅极堆叠件的侧壁上和第一介电层的侧壁上的栅极间隔件；以及位于栅极堆叠件的相对侧上的源极和漏极(S...

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括形成于一基板上的一鳍结构及形成并跨越该鳍结构的一第一栅结构。半导体结构还包括了形成于邻近该第一栅结构的该鳍结构内的一第一源极/漏极结构及形成于该第一源极/漏极结构上的一第一接触物。...

本发明的实施例涉及一种图像传感器，包括：衬底、多个可见光光敏器件、红外光敏器件、多个滤色器、红外带通滤波器、微透镜层和红外滤波器层。多个可见光光敏器件和红外光敏器件设置在衬底中，其中，多个可见光光敏器件和红外光敏器件布置为阵列。分别设置...

提供了一种包括电阻器层的半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底的第一区上方的栅极结构以及邻近栅极结构形成的层间介电(ILD)层。半导体器件结构还包括电阻器层，其形成在衬底的第二区上方的ILD层上方，并且电阻器层的主结构是非晶的。...

一种示例性器件包括：在半导体衬底上方延伸的栅极堆叠件，设置在栅极堆叠件的顶面上的硬掩模，位于栅极堆叠件的侧面上的低k介电间隔件。低k介电间隔件的顶部低于硬掩模的上表面。该器件还包括电连接至邻近栅极堆叠件的源极/漏极区的接触件。接触件在低...

提供了一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括衬底。半导体器件结构包括位于衬底中或上方的导电结构。半导体器件结构包括位于衬底上方的第一介电层。第一介电层具有暴露导电结构的第一开口。半导体器件结构包括位于第一介电层上方的第二介电层。第二介...

半导体器件包括半导体鳍、第一氮化硅基层、衬垫氧化物层、第二氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、邻近顶面的第一侧表面和设置在第一侧表面下方并且邻近第一侧表面的第二侧表面。第一氮化硅基层外围包围半导体鳍的第二侧表面。衬垫氧化物层设置...

本发明的实施例提供了一种包括输出器件和检测电路的电子器件。输出器件耦合至输出焊盘，并且根据保护信号而导通。检测电路配置为检测控制节点的电压电平，并且基于检测的电压电平生成保护信号，以及根据检测的电压电平将电压电平转换至预定电压电平。

本发明涉及一种清洁掩模的系统、清洁基板的系统、与清洁方法，系统包括：托架，设置以支撑掩模且位于掩模的第一侧；声音能量产生器，设置以产生声音能量，其包括超声波的频率与波长的机械振动；以及流体施加器，耦接至声音能量产生器，使流体施加器接收声...

一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在第一介电层中形成开口；以及镀金属材料以形成电耦合至导电部件的第一再分布线。再分布线包括位于开口中的通孔和金属迹线。该金属迹线包括直接位于通孔上方的第一部分和与通孔不重合的第二部分。金属迹线...