本发明的实施例是一种结构，包括：位于衬底上方的第一鳍、位于衬底上方的第二鳍，第二鳍与第一鳍邻近；围绕第一鳍和第二鳍的隔离区；位于第一鳍和第二鳍的上表面上方并沿着第一鳍和第二鳍的侧壁的栅极结构，栅极结构限定第一鳍和第二鳍中的沟道区；在第一...

一种离子收集器、等离子体系统的控制方法及处理基板的方法，离子收集器包含多个区段及多个积分器。多个区段与彼此实体隔离且围绕基板支撑件设置。每一区段包含导电元件，此导电元件用以传导因来自于等离子体的离子所产生的电流。每一个积分器耦接至对应的...

本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料...

至少部分地通过处理器实施的方法包括实施气隙插入工艺。气隙插入工艺包括按顺序排序集成电路的布局的多个网络，以及根据多个网络的排序顺序邻近多个网络插入气隙图案。该方法还包括生成集成电路的修改布局。修改布局包括多个网络和插入的气隙图案。本发明...

一种方法包括接收目标图案，目标图案由主要图案、第一切割图案和第二切割图案限定，通过计算系统检查目标图案以遵守第一约束，第一约束与第一切割图案相关，通过计算系统检查目标图案以遵守第二约束，第二约束与第二切割图案相关，以及响应于确定在检查期...

本发明公开了一种用于形成诸如晶体管的器件的方法和结构。一种方法实施例包括：在衬底上沿着栅极堆叠件的侧壁形成栅极间隔件；钝化栅极间隔件的外表面的至少部分；以及在邻近栅极间隔件的衬底中外延生长材料，同时栅极间隔件的外表面的至少部分保持被钝化...

本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210...

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，...

本发明提供了一种半导体清洗系统。清洗系统包括盛有清洗溶液的腔室和千兆声波频率生成器。千兆声波频率生成器被配置为生成对应于千兆赫兹频率范围的电信号。传感器被配置为将电信号转变为通过清洗溶液传播压力和位移且在千兆赫兹频率范围内振荡的机械波。...

一种半导体器件包括衬底、第一绝缘结构、第二绝缘结构、至少一个第一有源半导体鳍和至少一个第二有源半导体鳍。在衬底上设置第一绝缘结构和第二绝缘结构。第一有源半导体鳍设置在衬底上且具有从第一绝缘结构突出的突出部分。第二有源半导体鳍设置在衬底上...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：FinFET组件；多个图案化的伪半导体鳍，布置在所述FinFET组件的多个鳍旁；隔离结构，形成在所述图案化的伪半导体鳍上；以及调整组件，形成在所述图案化的伪半导体鳍上，并且电连接至所述FinFE...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，在上述方法中，一第一半导体层形成于一基底上方。一蚀刻停止层形成于第一半导体层上方。一虚置层形成于蚀刻停止层上方。多个隔离区形成于虚置层、蚀刻停止层及第一半导体层内。去除位于隔离区之间的虚置层及蚀刻停止...

一种半导体装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，该方法包含形成从隔离绝缘层伸出的第一与第二鳍结构；在第一与第二鳍结构上方形成栅极结构，每一第一与第二鳍结构具有在栅极结构外且具有第一宽度的源极/漏极区；移除源极/漏极区的侧壁的部分以形成经修...

一种保形中间层的制作方法，包含对单体溶液进行第一聚合工艺以形成经部分处理的树脂溶液，此经部分处理的树脂溶液包含溶剂及硅基的树脂；将经部分处理的树脂溶液旋涂在基板上；及对经部分处理的树脂溶液进行第二聚合工艺以使经部分处理的树脂溶液收缩来形...

在衬底上制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的方法包括在衬底上方形成图案化的金属层；在图案化的金属层上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成第二金属层；去除绝缘层的部分和第二金属层的部分，从而形成由图案化的金属层、绝缘层和第二金属层形成的...

本发明的实施例提供一种FinFET器件，FinFET器件包括衬底、形成在衬底上的鳍和横越鳍的栅电极。栅电极包括头部和尾部，并且尾部连接至头部并且向衬底延伸。头部的宽度大于尾部的宽度。本发明的实施例还提供了另一种FinFET器件及用于制造...

半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。...

一种半导体器件包括：衬底、至少一个有源半导体鳍、至少一个第一伪半导体鳍、以及至少一个第二伪半导体鳍。在衬底上设置有源半导体鳍。在衬底上设置第一伪半导体鳍。在衬底上且在有源半导体鳍和第一伪半导体鳍之间设置第二伪半导体鳍。第一伪半导体鳍的顶...

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括：提供具有一金属垫区的一半导体基底；在该半导体基底上形成一封盖(encapsulating)层，其中该封盖层具有一开口露出该金属垫区的一部分；在该封盖层的该开口内露出的该金属垫区的该部...

本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及用于形成FinFET器件结构的方法。FinFET器件结构包括衬底以及在衬底之上延伸的第一鳍结构和第二鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第一鳍结构上的第一晶体管和形成在第二鳍结...