本发明涉及电压调节技术。在一些实施例中，电压调节器配置为基于参考电压调节输出电压。电压调节器包括模数转换器、编码器、解码器和功率级。模数转换器接收参考电压和电压调节器的输出电压并且提供数字误差信号。编码器耦合至模数转换器输出并且配置为基...

本发明涉及一种方法，包括对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽。该沟槽具有垂直侧壁和连接至垂直侧壁的圆形的底部。实施损坏去除步骤以去除半导体衬底的表面层，表面层暴露于沟槽。蚀刻沟槽的圆形的底部以形成斜直底面。填充沟槽以形成在沟槽中的沟槽...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括金属线形成于基板上的第一层间介电层中、第一绝缘层覆盖着部分的金属线及第一层间介电层、第二层间介电层在相邻两个金属线之间的凹部中具有气隙、以及保护层形成于未形成凹部的一部分第一层间介电层...

本发明实施例提供了FET结构，FET结构包括具有顶面的第一导电类型的衬底，在顶面上方的第一栅极，在衬底中的第二导电类型的源极和漏极，以及在第一栅极下方的第一沟道。第一导电类型的掺杂剂浓度包括在顶面之下小于200nm处，沿着第一沟道从第一...

本发明提供了自对准背面深沟槽隔离结构。公开了一种像素传感器器件。器件包括浅沟槽隔离结构、阱区域和背面隔离结构。阱区域和二极管区域邻近浅沟槽隔离结构。背面隔离结构与浅沟槽隔离结构自对准并且布置在浅沟槽隔离结构上方。背面隔离结构邻近二极管区...

本发明的实施例提供了一种包括半导体管芯的半导体器件。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。存在耦合至集成半导体封装件并且配置为用于该半导体封装件的接地端子的接触件。该半导体器件还具有基本封闭集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏...

本公开提供了执行光学邻近校正(OPC)的方法。接收集成电路(IC)设计布局。设计布局包含多个IC布局图案。多个IC布局图案中的两个或多个分组到一起。分组的IC布局图案被划分，或者设置分组的IC布局图案的目标点。此后，基于分组的IC布局图...

本发明提供一集成电路方法以及集成电路设计系统。该集成电路方法包括：接收一集成电路布局文件；以及对集成电路布局文件执行一逆电子束技术工艺以产生一最终掩膜图案，其中逆电子束技术工艺使用一单一逆电子束技术模型以模拟一掩膜产生工艺以及晶圆产生工艺。

本发明提供了一种具有双晶界的半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括衬底和在衬底上方形成的导电结构。导电结构包括双晶界，并且双晶界的密度在约25μm‑1至约250μm‑1的范围中。

本发明提供一种清洗光罩的系统及方法。此方法包括：混合第一化学溶液与第二化学溶液；及通过喷嘴的出口排出混合化学溶液至具有钌(Ru)层的光罩的表面。其中，第一化学溶液系配置以从光罩的表面去除污染粒子，且第二化学溶液系配置以提供电子至第一化学...

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含设置于基底上的基底特征部件，基底特征部件具有延伸于第一方向的第一长度及延伸于第二方向的第二长度，第一长度大于第二长度，装置更包含设置于基底上的第一材料特征部件，第一材料特征部件具有...

本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构。3DIC结构包括第一芯片、第二芯片和至少一个衬底通孔(TSV)。第一芯片通过第一芯片的第一接合焊盘和第二芯片的第二接合焊盘电连接至第二芯片。TSV从第一芯片的第一后侧延伸至第一芯片的金属化元件。...

本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包...

本发明提供了一种局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台。工作台被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件。抛光垫与工作台隔开的宽度小于约工作台的宽度的一半。抛光垫被配置为分别抛光将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域。抛光液分配系统被配置为...

本发明涉及基于模型的规则表产生。具体的，本发明提供一种用于制造半导体装置的方法，其包含例如从设计室接收集成电路IC布局图案。在一些实施例中，利用过程模拟模型以通过反向光刻技术ILT过程产生自由形式布局图案。所述过程模拟模型经配置以模拟用...

本公开提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置的形成方法包括形成第一栅极结构于基板上，形成源极/漏极特征于基板中且邻近第一栅极结构，形成介电层于第一栅极结构及源极/漏极特征之上，移除介电层的一部分，以形成暴露出第一栅极结构及源极/漏...

一种半导体结构包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一...

一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度...

本发明提供用以使用二次曝光界定多个层图案的方法，包含在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层，保护层材料沉积于第一光致抗蚀剂层上方以形成保护层。在保护层上方形成第二光致抗蚀剂层。通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗...

实施例是方法，方法包括在加工区中在衬底上方沉积第一可流动膜，第一可流动膜包括硅和氮，在第一步中在第一温度下使用第一工艺气体和紫外光固化第一可流动膜，第一工艺气体包括氧气，在第二步中在第二温度下使用第二工艺气体和紫外光固化第一可流动膜，第...