半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该...

本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含...

本发明的实施例提供了具有对准标记的管芯及其形成方法。一种方法包括：在第一工件的第一侧面上形成沟槽，所述第一工件的管芯介于相邻的沟槽之间；去除管芯的一部分以形成对准标记，对准标记延伸穿过管芯的整个厚度。减薄第一工件的第二侧面，直到管芯被分...

本发明提供了一种化学汽相沉积(CVD)工具，包括处理腔室、远程等离子体系统、第一气体源、第二气体源、第一气体通道和第二气体通道。远程等离子体系统连接至处理腔室。第一气体通道连接第一气体源、远程等离子体系统和处理腔室。第二气体通道连接第二...

从腔室接收原始数据。基于接收的原始数据，检测腔室的操作中是否存在错误。检测包括以下概述的至少一个操作。基于腔室的原始数据，生成与腔室分别对应的西格玛值。做出确定以确定与西格玛值对应的西格玛比率是否小于阈值。在西格玛比率小于阈值的情况下，...

制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成多个栅极结构。在栅极结构上沉积第一层间介电层。在每两个紧邻的栅极结构之间的第一层间介电层中形成第一接触插塞。在第一层间介电层上沉积蚀刻停止层。在第一层间介电层上沉积第二层间介电层。在第二层间介...

本发明提供了包括第一导电类型的晶体管的FET结构。晶体管包括具有第二导电类型的区域的衬底、位于源极和漏极之间的沟道以及位于沟道上方的栅极。沟道包括第一导电类型的掺杂物。栅极包括第二导电类型的功函设置层。本发明还提供了用于制造具有多阈值电...

本发明的实施例提供了一种用于在晶圆上制造半导体器件的方法，包括：图案化晶圆上的多个鳍部；形成围绕多个鳍部的浅沟槽隔离区；以及蚀刻STI区以形成具有鳍高度的多个鳍部，从而使得半导体器件具有期望的功耗。多个鳍部分别对应于半导体器件的多个fi...

本发明涉及一种集成电路(IC)。IC包括衬底上方的下部层间介电(ILD)层内设置的多条下部金属线。IC还包括设置在存储区域处的ILD层和下部金属线上方的多个存储单元，存储单元包括通过电阻转换元件分离的顶部电极和底部电极。IC还包括：伪结...

一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导...

本发明实施例描述了封装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入在密封件中的集成电路管芯和在密封件上的再分布结构。再分布结构包括在密封件和集成电路管芯远端的金属化层，以及在密封件和集成电路管芯远端以及在金属化层上的介电层。封装结...

一种双极结型晶体管包括：发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间...

提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成一个或多个鳍；在一个或多个鳍上方形成隔离绝缘层。将掺杂剂引入隔离绝缘层。对含有掺杂剂的隔离绝缘层进行退火，并且去除氧化物层的一部分，以暴露鳍的一部分。本发明还提供了具有掺杂的隔离绝缘...

揭露一种检测基材上的缺陷的存在与位置的方法。在一实施方式中，此方法可包含：利用外延成长制程形成半导体材料于参考晶圆的多个开口中；对参考晶圆进行一或多个量测，以获得基线信号；形成多个栅极堆叠与多个应力源区于多个基材中；于形成栅极堆叠后，形...

一种全局连接件布线的方法，包括：确定用于在电路布局中使用的单元的全局连接件容限，其中单元包括多个引脚以及相对于单元限定的多条布线轨迹。方法还包括确定单元内的阻挡轨迹的数量。方法还包括比较全局连接件容限与阻挡轨迹的数量。方法还包括：如果全...

一种半导体器件，包括：半导体鳍、衬里氧化物层、氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、与顶面邻近的第一侧表面、以及设置在第一侧表面下方并与第一侧表面邻近的第二侧表面。衬里氧化物层在周围围绕半导体鳍的第二侧表面。氮化硅基层设置为与衬里...

本发明的实施例提供了一种图像传感器结构及其形成方法。图像传感器结构包括：第一衬底，包括第一辐射感测区域和形成在第一衬底的前侧上方的第一互连结构。图像传感器结构还包括：第二衬底，包括第二辐射感测区域和形成在第二衬底的前侧上方的第二互连结构...

半导体FET器件包括缓冲结构和鳍结构。缓冲结构具有鳍状，设置在衬底上方并且沿着第一方向延伸。鳍结构包括FET器件的沟道区，设置在缓冲结构上并且沿着第一方向延伸。沿着与第一方向垂直的第二方向的缓冲结构的宽度大于沿着第二方向在缓冲结构和鳍结...

本发明的实施例提供了一种器件封装件，包括：半导体管芯；模塑料，沿着半导体管芯的侧壁延伸；以及平坦化的聚合物层，位于模塑料上方并且沿着半导体管芯的侧壁延伸。模塑料包括第一填充物，并且平坦化的聚合物层包括比第一填充物小的第二填充物。器件封装...

提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的浮置栅极结构。半导体结构还包括形成在浮置栅极结构上方的介电结构和形成在介电结构上方的控制栅极结构。半导体结构还包括形成在控制栅极结构的侧壁的下部上方的第一间隔件；以及...