本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该半导体器件的制造方法包括：在具有多层结构的半导体衬底上形成第一导电类型体区，并在所述第一导电类型体区上形成沟槽；通过自对准的方式向所述沟槽底部进行离子注入操作，形成第一导电类型柱；向所...

本发明根据一些实施例提供了一种方法。从背侧研磨晶圆。将晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内。通过临时层将框架保持架附接至载体。将晶圆的正侧附接至临时层。之后，从背侧蚀刻晶圆直到晶圆达到预定厚度。之后，将其中的框架保持架和晶圆从临时层和载...

本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。第一管芯和第二管芯设置在载体衬底上方。第一模制材料形成为邻近第一管芯和第二管芯。第一再分布层形成在第一模制材料上面。贯通孔形成在第一再分布层上方。封装件组件位于第一再分布层上且靠近铜柱。封装件...

一种半导体结构包括：衬底、设置在衬底上方的管芯，以及包括：设置在管芯上方的管芯焊盘和设置在管芯的外围处并且与管芯焊盘电连接的密封环、设置在管芯上方的聚合物层、延伸穿过聚合物层并且与管芯焊盘电连接的通孔，和设置在衬底上方并且围绕管芯和聚合...

3D-IC包括第一层器件和第二层器件。第一层器件和第二层器件垂直堆叠在一起。第一层器件包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一互连结构。第二层器件包括第二衬底、形成在第二衬底中的掺杂区、形成在衬底上方的伪栅极以及形成在第二衬底上方的第二互...

一种半导体装置的制造方法，包括在材料层上方形成硬质遮罩(HM)堆叠，此HM堆叠具有第一、第二、第三及第四HM层。方法亦包括在第四HM层中形成第一沟槽、在第一沟槽中形成第一间隔垫，在第四HM层中形成第二沟槽，藉由使用第三HM层作为蚀刻终止...

本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、介电结构、阻挡层、胶层、铜晶种层和铜层。介电结构设置在衬底上方。介电结构具有穿过介电结构的导通孔，并且导通孔的侧壁包括至少一个凹口。阻挡层共形地覆盖导通孔的侧壁和底部。胶层共形地覆盖阻挡层。铜晶种...

本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种...

在制造FinFET中的操作包括提供具有鳍结构的衬底，其中，鳍结构的上部具有第一鳍表面轮廓。在衬底上形成与鳍结构接触的隔离区域。通过蚀刻工艺凹进隔离区域的部分以形成凹进部分和暴露鳍结构的上部，该凹进部分具有第一隔离表面轮廓。对鳍结构和凹进...

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、衬垫和外延结构。衬底具有凹槽。衬垫设置在凹槽中。衬垫比衬底更加致密。外延结构设置在凹槽中。衬垫设置在外延结构和衬底之间。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

本发明描述了一种半导体器件制造的方法，该方法包括形成从衬底延伸以及具有源极/漏极区和沟道区的鳍。鳍包括具有第一组分的第一外延层和位于第一外延层上的第二外延层，第二外延层具有第二组分。从鳍的源极/漏极区去除第二外延层以形成间隙。用介电材料...

本发明涉及形成金属互连层的改进的方法以减小空隙和提高可靠性以及相关的器件。在一些实施例中，介电层形成在半导体衬底上方并且具有布置在介电层内的开口。使用化学汽相沉积(CVD)工艺在开口的表面上形成金属晶种层。然后在金属晶种层上镀金属层以填...

提供了一种FinFET器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括：鳍结构，形成在衬底的上方；以及栅极结构，横越在鳍结构上方。栅极结构包括栅电极层，栅电极层包括位于鳍结构之上的上部和位于鳍结构下方的下部，在上部和下部之间形成虚拟界面，...

本发明涉及形成多孔低‑k介电结构。在衬底上方形成多个导电元件。该导电元件通过多个开口彼此分隔开。在导电元件上方形成阻挡层。该阻挡层形成为覆盖开口的侧壁。对阻挡层实施处理工艺。在实施处理工艺之后，阻挡层变成亲水的。在已经实施处理工艺之后，...

本发明公开了一种三维集成电路结构和及其制造方法。三维集成电路结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片在接合界面处接合至第二芯片。第一芯片的通孔和第二芯片的接合焊盘电连接，并且通孔的扩散阻挡层在接合界面处接触接合焊盘。本发明实施例涉及三维集成...

实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且...

一种半导体装置，包括具有第一边缘的过渡金属二硫化物层，此第一边缘具有锯齿状原子配置。金属材料具有与过渡金属二硫化物层重叠的部分。金属材料具有与过渡金属二硫化物层的第一边缘接触的第二边缘。藉由形成接触过渡金属二硫化物层的金属边缘的接触插塞...

光刻图案化的方法，所述方法包括在衬底上方形成材料层；将材料层的部分暴露于辐射；以及在显影剂中去除所述材料层的暴露部分，产生图案化的材料层。显影剂包括有机溶剂和碱性溶质，其中，以重量计，所述有机溶剂多于所述显影剂的50％。在一个实施例中，...

一种半导体器件包括位于衬底上的第一III-V族化合物层、位于第一III-V族化合物层上的第二III-V族化合物层、设置在第二III-V族化合物层上的栅极金属堆叠件、设置在栅极金属堆叠件的相对两侧处的源极接触件和漏极接触件、设置在栅极金属...

一种方法，该方法包括：在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的正面表面上的氧化物层。去除衬底的位于深沟槽隔...