本发明描述了封装结构和形成封装结构的方法。一种方法包括在第一衬底的凹部中放置第一封装件。第一封装件包括第一管芯。该方法还包括将第一传感器附接至第一封装件和第一衬底。第一传感器电耦合至第一封装件和第一衬底。

本发明提供了半导体结构和形成半导体结构的方法。在各个实施例中，形成半导体结构的方法包括下列步骤。接收位于半导体衬底上的结构，该结构包括至少两条导线和一个短路桥接件，并且导线通过短路桥接件彼此电连接。短路桥接件是绝缘的以使导线彼此电隔离。

一种半导体器件包括衬底和接近衬底的可移动膜。该半导体器件还包括位于衬底上方且从衬底的表面朝着可移动膜突出的台。台包括配置为从膜接收碰撞力的撞击部分和位于撞击部分下方的混合应力缓冲件，其中，混合应力缓冲件包括通过硬度不同可分辨的至少两层。...

本发明涉及一种结构，包括：金属焊盘、具有覆盖金属焊盘的边缘部分的部分的钝化层和在钝化层上方的伪金属板。伪金属板中具有多个贯穿开口。伪金属板具有锯齿形边缘。介电层具有在伪金属板上面的第一部分、填充多个第一贯穿开口的第二部分和接触第一锯齿形...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件、与半导体横向分离的导电通孔、介于半导体器件和导电通孔之间的封装剂、以及标记。标记由或无相交的字符或具有小于2的重叠数的字符形成。在另一实施例中，使用摆动扫描方法形成标记。通过形成所述标...

本公开提供制造护膜组件的方法，此方法包含在载板上方形成脱模层，在脱模层上方制造膜层，将护膜框架附着至膜层，在护膜框架附着至膜层之后，对脱模层实施脱模处理工艺将载板从膜层分开，形成护膜组件，护膜组件包含护膜框架和附着至护膜框架的膜层。

一种半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上方并且配置为接收凸块的重分布层(RDL)。半导体器件还包括位于RDL上方的聚合物材料，和聚合物材料包括开口以暴露RDL的部分。在半导体器件中，阻挡件覆盖聚合物材料和RD L之间的接合点。本发...

制造半导体器件的方法包括形成堆叠膜，堆叠膜包括反铁磁层、固定层、阻挡层、自由层和底电极层。该方法也包括在反铁磁层上方形成第一图案化的硬掩模、通过使用第一图案化的硬掩模作为第一蚀刻掩模蚀刻反铁磁层和固定层、沿着反铁磁层和固定层的侧壁形成第...

本发明涉及一种通过在邻近沟道区的凹槽中形成介电材料来控制沟道区上的应变的半导体器件，以为了提供对形成在凹槽内的外延源极/漏极区的应变诱导材料的体积和形状的控制。在一些实施例中，半导体器件具有布置在半导体本体的位于沟道区的相对两侧上的上表...

本发明的实施例提供了一种半导体结构、集成电路器件及形成半导体结构的方法。在各个实施例中，半导体结构包括包含高形貌区域和低形貌区域的衬底、邻接低形貌区域的高形貌区域的外部周边部分上的外部保护壁和以及外部保护壁、高形貌区域和低形貌区域上方的...

一种系统层级参数估测方法，包含：提供硅智财数据库、硬件应用数据库以及制程技术数据库；根据硅智财数据库以及硬件应用数据库产生层级表；以及利用制程技术数据库，对于对应层级表的效能值、功率值、面积值以及成本值至少其中之一进行估测，以输出结果数...

本发明的实施例提供了一种方法，方法包括：建立智力成果(IP)库、应用库和技术库；基于应用数据，从IP库中选择有效的配置以用于对应的IP和至少一个子系统，以响应于用户定义的需求，通过模型生成器生成有效的配置的性能、功率、面积和成本(PPA...

一种半导体器件包括半导体衬底、存在于半导体衬底中的接触区和位于接触区的纹理化的表面上的硅化物。多个溅射残留物存在于硅化物和接触区之间。由于接触区的表面被纹理化，因此由硅化物提供的接触面积相应的增加，从而降低了半导体器件中的互连结构的电阻...

一种半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第一隔离结构以及多个外延结构。衬底具有多个位于其中的半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，以及第二隔离结构延比第一隔离结构伸至衬底内更远。外延结构...

一种半导体器件包括衬底、器件层、复合栅格结构、钝化层和滤色器。器件层位于衬底上面。复合栅格结构位于器件层上面。复合栅格结构包括：穿过复合栅格结构的腔，并且复合栅格结构包括金属栅格层和堆叠在金属栅格层上的介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅...

本发明涉及一种全数字锁相回路ADPLL电路。具体的，本发明描述一种校准程序，其使用数字相位误差性能的直接测量以用于低成本个别校准全数字锁相回路ADPLL/数控振荡器DCO。数字相位误差的直接测量或数字相位误差的差用于调整所述DCO的操作...

半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上...

本发明涉及光刻胶以及使用光刻胶实施光刻工艺的方法。光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发...

一种半导体器件包括：包括接触区域的半导体衬底；在接触区域上存在的硅化物；在半导体衬底上存在的介电层，介电层包括暴露出接触区域的部分的开口；在开口中存在的导体；在导体和介电层之间存在的阻挡层；以及在阻挡层和介电层之间存在的金属层，其中，硅...

本公开提供半导体装置与半导体装置的栅极堆叠的制作方法。半导体装置各自包含通道区与栅极堆叠。栅极堆叠包含栅极绝缘物、一对分隔的第一金属栅极层、以及第二金属栅极层。栅极绝缘物沿着通道区的长度方向延伸。第一金属栅极层具有第一功函数，并自栅极绝...