用于光刻工艺的护膜组件的制造方法及掩模护膜系统的形成方法技术方案

本公开提供制造护膜组件的方法，此方法包含在载板上方形成脱模层，在脱模层上方制造膜层，将护膜框架附着至膜层，在护膜框架附着至膜层之后，对脱模层实施脱模处理工艺将载板从膜层分开，形成护膜组件，护膜组件包含护膜框架和附着至护膜框架的膜层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体技术，且特别涉及用于光刻工艺的护膜组件的制造方法及掩模护膜系统的形成方法。
技术介绍
在半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业中，集成电路的材料与设计上的技术演进已产生数个集成电路的世代，每一世代的集成电路较上一世代更小且更复杂。在集成电路的发展史中，功能密度(每一晶片区内连接的装置数目)增加，同时几何尺寸(工艺中所制造的最小的元件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。此元件尺寸微缩化也增加了加工与制造集成电路的复杂性。光光刻工艺形成图案化光致抗蚀剂层用于各种图案化工艺例如蚀刻或离子注入。通过光刻工艺的方式可被图案化的最小特征部件(feature)尺寸受限于投影的照射源的波长。光刻机器从使用波长365纳米的紫外光到使用包含248纳米的氟化氪激光(KrFlaser)和193纳米的氟化氩激光(ArFlaser)的深紫外光(deepultraviolet，DUV)，且到使用波长13.5纳米的极紫外光(extremeultraviolet，EUV)，每一阶段都改善了解析度。在光光刻工艺中，使用光罩(或掩模)。此掩模包含基底和图案化层，其定义在光光刻工艺期间将转移至半导体基底的集成电路。掩模通常包含护膜组件(pellicleassembly)，统称为掩模护膜(mask-pellicle)系统。此护膜组件包含透明薄膜和护膜框架(pellicleframe)，其中薄膜安装在护膜框架上方。此护膜组件保护掩模免于被落下的粒子污染且使这些粒子远离焦点(focus)，因此，这些粒子不会产生图案化影像，当使用掩模时，粒子产生的图案化影像可能造成缺陷。用于极紫外光(EUV)光刻的护膜组件已被证实在制造和实施上面临挑战，因为至少在横跨掩模的表面上提供有着足够结构完整性的薄护膜是有困难度的。依据一些传统的制造工艺，大、薄的护膜的制造已显示会造成此护膜扭曲、皱褶、破裂或以其他方式受损，进而使此护膜变得无法使用。因此，制造护膜组件系统的现存技术已证实在各方面并非都令人完全满意。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开提供用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，包括在载板上方形成脱模层；在脱模层上方制造膜层；将护膜框架附着至膜层；在护膜框架附着至膜层之后，对脱模层实施脱模处理工艺将载板从膜层分开；以及形成护膜组件，护膜组件包含护膜框架和附着至护膜框架的膜层。在其他实施例中，本公开提供用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，包括接收护膜框架，护膜框架具有通过护膜框架的侧壁形成的开口；形成护膜支架，其中形成护膜支架的步骤包含在载板上方形成脱模层；在脱模层上方沉积保护层；以及在保护层上方制造膜层，其中膜层的第一表面物理性接触保护层的顶表面；通过框架黏着剂将护膜框架接合至护膜支架，框架黏着剂介于护膜框架与膜层的第二表面之间；对脱模层实施脱模处理工艺，将载板从保护层移除；以及移除保护层以形成护膜组件，其中护膜组件包含膜层和附着至膜层的第二表面的护膜框架。在另外一些实施例中，本公开提供掩模护膜系统的形成方法，包括提供具有集成电路设计布局的掩模；接收具有顶表面和底表面的护膜框架；制造护膜支架，护膜支架包含设置于载板上方的脱模层、设置于脱模层上方的保护层和设置于保护层上方的膜层；使用框架黏着剂将护膜框架的顶表面附着至护膜支架的膜层的第一表面；对脱模层实施处理工艺从护膜支架移除脱模层和载板；从护膜支架移除保护层，进而形成包含膜层和护膜框架的护膜组件；以及将护膜框架的底表面安装至掩模，形成包含护膜组件和掩模的掩模护膜系统。附图说明根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。图1显示依据本公开的一些实施例的形成掩模护膜系统或其一部分的方法的流程图。图2A显示依据本公开的一些实施例的在基底上形成脱模层之后的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图2B显示掩模护膜系统的一部分的剖面示意图，说明脱模层的处理工艺。图3显示依据本公开的一些实施例的在脱模层上形成保护层之后的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图4A和图4B显示依据本公开的各种实施例的在脱模层上形成膜层之后的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图5A、图5B和图5C显示本公开的一些实施例的护膜框架的透视图、沿着线A-A’的剖面示意图和上视图。图6显示依据本公开的一些实施例的护膜框架附着至膜层之后的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图7显示依据本公开的一些实施例的移除基底和脱模层之后的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图8A显示依据本公开的一些实施例，当移除保护层时的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图8B显示依据本公开的一些实施例的移除保护层之后的掩模护膜系统的一部分的剖面示意图。图9A和图9B显示依据本公开的一些实施例的掩模护膜系统的透视图和沿着线B-B’的剖面示意图。图9C显示依据本公开的一些实施例的掩模的剖面示意图。图10显示依据本公开的一些实施例的光刻系统的示意图。其中，附图标记说明如下：100方法102、104、106、108、110、112、114、116、118、120、122、124步骤方块200掩模护膜系统202载板204脱模层206发泡粒子208黏着材料210顶层212、700脱模处理工艺214、304、512顶表面302保护层306、510底表面402膜层404第一子层406第二子层408第三子层310、410、412表面410a第一部分410b第二部分414、416水平参考面500护膜框架504排气孔506过滤器508内表面514、604开口516开放区域600护膜组件602框架黏着剂702护膜支架800保护层移除工艺900掩模护膜系统902极紫外光掩模904掩模黏着剂906内部空间908图案化表面920基底922背侧涂布层924多层结构926盖层928吸收器930抗反射涂布层1000光刻系统1002照射源1004照明器1006掩模座1010投影光学元件1012光瞳相调整器1014投影光瞳面1016半导体基底1018基底座d1、d2、d3厚度H高度S1第一距离S2第二距离W宽度具体实施方式要了解的是本说明书以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本专利技术的不同特征部件(feature)。而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化专利技术的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本专利技术。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与上述第二特征部件可能未直接接触的实施例。另外，本专利技术的说明中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。再者，为了方便描述附图中一元件或特征部件与另一(复数)元件或(复数)特征部件的关系，可使用空间相关用语，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，包括:在一载板上方形成一脱模层；在该脱模层上方制造一膜层；将一护膜框架附着至该膜层；在该护膜框架附着至该膜层之后，对该脱模层实施一脱模处理工艺将该载板从该膜层分开；以及形成一护膜组件，该护膜组件包含该护膜框架和附着至该护膜框架的该膜层。

【技术特征摘要】
2015.09.18 US 14/859,1361.一种用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，包括:在一载板上方形成一脱模层；在该脱模层上方制造一膜层；将一护膜框架附着至该膜层；在该护膜框架附着至该膜层之后，对该脱模层实施一脱模处理工艺将该载板从该膜层分开；以及形成一护膜组件，该护膜组件包含该护膜框架和附着至该护膜框架的该膜层。2.如权利要求1所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，还包括:在制造该膜层之前，将一保护层沉积于该脱模层上方；制造该膜层于该保护层上方；以及在实施该脱模处理工艺之后，从该膜层上移除该保护层。3.如权利要求2所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，其中移除该保护层的步骤还包含将该膜层的一第二表面暴露出来，其中该护膜组件具有一通过该膜层的该暴露的第二表面形成的顶表面。4.如权利要求3所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，其中制造该膜层的步骤包含:在该保护层上方沉积该膜层的一底层，其中该底层的一底表面物理性接触该保护层，且其中该膜层的该第二表面为该膜层的该底层的该底面；在该底层的上方形成该膜层的一中间层；以及在该中间层上方制造该膜层的一顶层。5.如权利要求1所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，其中该脱模层包含发泡粒子。6.如权利要求1所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，其中对该脱模层实施该脱模处理工艺的步骤还包括对该脱模层实施激光照射。7.如权利要求1所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，其中将该护膜框架附着至该膜层的步骤还包括:将该护膜框架直接放置于该膜层的一第一表面的一第一部分上方；以及通过该护膜框架的侧壁形成的一开口定义该膜层的该第一表面的一第二部分。8.如权利要求1所述的用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，还包括:接收具有一集成电路设计布局的一掩模；以及将该护膜组件安装至该掩模，形成一掩模护膜系统，其中该掩模护膜系统包含至少由该膜层的该第一表面的该第二部分和该护膜框架的侧壁的内表面形成的一内部空间。9.一种用于光刻工艺的护膜组件的制造方法，包括:接收一护膜框架，该护膜框架具有通过该...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾俊豪，秦圣基，朱远志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71