用于将EUVL掩模电气耦接至支撑夹盘的导电元件制造技术

一种耦接模块可包括：上部部分，所述上部部分界定孔隙；掩模接触元件；夹盘接触元件；和中间元件，所述中间元件连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间。孔隙的形状和尺寸可对应于极紫外(EUVL)掩模的图案转移区域的形状和尺寸。耦接模块可经成形并经确定尺寸，使得一旦掩模接触元件接触EUVL掩模的上部部分，那么夹盘接触元件接触支撑所述掩模的夹盘。当EUVL掩模定位于夹盘上时，耦接模块可在EUVL掩模的上部部分与夹盘之间进一步提供至少一个导电路径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过电子束或离子束成像设备的极紫外光刻术(extreme ultraviolet lithography;EUVL)掩模检查。
技术介绍
EUVL掩模将在用于制造纳米级别的半导体器件的下一代光刻工艺中使用。较短EUV波长13.5nm实现产生比当今用513nm光刻术产生的可能元件更小的元件。光刻术工艺可包括将被光致抗蚀剂涂覆的硅晶片曝光于13.5nm波长辐射，所述13.5nm波长辐射自EUVL掩模的图案转移区域反射。将位于掩模的图案形成区域的顶表面上的图案去放大并转移至硅晶片上方的光致抗蚀剂层上。在这种曝光之后，光刻术工艺继续进行。移除显影的光致抗蚀剂，并且通过蚀刻或沉积在硅上形成图案。EUVL掩模还包括可围绕图案转移区域的外围区域。图1图示EUVL掩模，所述EUVL掩模由非导电层12 (诸如，玻璃层)和上部部分构建，所述上部部分可包括以下的组合:(a)将EUV光向基板反射的反射层14和(b)吸收层16。这一上部部分为导电的并在整个掩模上延伸，且尤其在掩模的整个图案转移区域上延伸。图1还包括表示EUVL辐射的箭头8，所述EUVL辐射被引导至掩模上并自掩模反射。EUVL掩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将极紫外(EUVL)掩模耦接至夹盘的耦接模块，所述耦接模块包含：上部部分，所述上部部分界定孔隙；至少一个掩模接触元件；夹盘接触元件；和中间元件，所述中间元件连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间；其中所述孔隙的形状和尺寸对应于所述EUVL掩模的图案转移区域的形状和尺寸；其中所述耦接模块经成形并经确定尺寸，使得一旦所述至少一个掩模接触元件接触所述EUVL掩模的上部部分，那么所述夹盘接触元件接触支撑所述EUVL掩模的夹盘；和其中当所述EUVL掩模与所述耦接模块对准而定位于所述夹盘上时，所述耦接模块在所述EUVL掩模的所述上部部分与所述夹盘之间提供至少一个导电路径。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：I·克里夫玆，I·阿夫内里，Y·尤塞尔，N·本戴维，I·霍尔克曼，I·耶尔，Y·巴松，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：以色列;IL