觉知周围环境的OPC制造技术

本公开提供了执行光学邻近校正(OPC)的方法。接收集成电路(IC)设计布局。设计布局包含多个IC布局图案。多个IC布局图案中的两个或多个分组到一起。分组的IC布局图案被划分，或者设置分组的IC布局图案的目标点。此后，基于分组的IC布局图案执行OPC工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及半导体集成电路，更具体地，涉及光学邻近校正(OPC)。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了指数般增长。IC材料和设计的技术进一步产生了多代IC，每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积互连器件的数量)通常增加而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小部件(或线))增加。这种比例缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本来提供优势。这种缩小还增加了IC处理和制造的复杂度。对于将要实现的这些进步来说，需要IC处理和制造的类似开发。例如，为了在设计图案被转印到晶圆时增强成像效果，使用光学邻近校正(OPC)。调整设计图案来在晶圆上生成具有改进的分辨率的图像。然而，传统的OPC工艺没有充分考虑布局图案的周围环境。如此，传统的OPC工艺不能充分考虑相邻布局图案之间的潜在交互作用。这会导致劣化的性能和可能的器件故障。因此，虽然传统的OPC工艺通常足以满足它们预期的目的，但它们不能在所有方面都令人满意。需要将相邻布局图案之间的交互考虑进去的OPC工艺。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种执行光学邻近校正(OPC)的方法，包括：接收集成电路(IC)设计布局，所述设计布局包含多个IC布局图案；将所述多个IC布局图案中的两个或多个成组；对成组的IC布局图案进行划分或设置目标点；以及此后基于所述成组的IC布局图案执行OPC工艺。优选地，所述成组包括：识别相互邻近的IC布局图案；以及至少将所识别的IC布局图案中的子集分组到一起。优选地，所述成组还包括：识别相互邻近的IC布局图案之间的交互区域。优选地，在所述交互区域内执行所述划分或设置所述目标点。优选地，所述划分或设置所述目标点包括移动划分位置或目标点。优选地，所述划分或设置所述目标点包括在所述交互区域内添加一个或多个辅助目标点。优选地，所述分组包括：将相互邻近或者具有显著不同加载的IC布局图案分组。优选地，所述划分或设置所述目标点包括：对所述成组的IC布局图案中的每个IC布局图案不对称地进行所述划分或设置所述目标点。优选地，所述多个IC布局图案是不能通过双重图案化来分辨的图案。优选地，该方法还包括：基于所述OPC工艺生成修改的IC设计布局。根据本专利技术的另一方面，提供了一种执行光学邻近校正(OPC)的方法，包括：接收集成电路(IC)设计布局，所述设计布局包括多个IC部件；识别被定位为相互之间在预定距离内的IC部件或者具有显著不同加载的IC部件的子集；将所述IC部件的所述子集成组；限定成组的所述IC部件的划分位置或目标点；以及生成所述IC部件的成组的所述子集的模拟轮廓。优选地，所述多个IC部件不能够通过双重图案化来分辨，并且所述成组还包括：识别所述IC部件的成组的所述子集的交互区域。优选地，所述限定包括：在所述交互区域内限定所述划分位置或所述目标点。优选地，所述限定包括：在所述交互区域内添加辅助目标点。优选地，执行所述限定，使得在所述子集中的每个IC部件内不对称地设置所述划分位置或所述目标点。优选地，该方法还包括：基于生成的所述模拟轮廓修正所述划分位置或所述目标点。优选地，该方法还包括：基于所述识别、所述分组、所述限定和生成所述模拟轮廓来生成修改的IC设计布局；以及将所述修改的IC设计布局发送至光掩模制造工厂。根据本专利技术的又一方面，提供了一种执行光学邻近校正(OPC)的方法，包括：接收集成电路(IC)的设计布局，所述设计布局包括不能通过双重图案化来分辨的多个多边形；确定至少所述多个多边形的子集的交互区域，其中，所述确定包括识别物理邻近的多边形或者具有显著不同几何尺寸的多边形；对所述多个多边形的所述子集进行边缘划分或设置目标点的位置，其中，所述交互区域内的所述边缘划分或所述目标点的位置的设置不同于所述交互区域外的所述边缘划分或所述目标点的位置的设置；以及此后执行OPC模拟。优选地，该方法还包括：基于所述OPC模拟，通过修改所述边缘划分或所述目标点的位置，重复所述边缘划分或所述目标点的设置。优选地，该方法还包括：基于所述OPC模拟生成输出文件；以及基于所述输出文件制造光掩模。附图说明当阅读附图时，根据以下详细的描述来更好地理解本专利技术的各个方面。注意，根据工业的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意地增加或减小各个部件的尺寸。图1至图4、图5A和图5B、图6A和图6B以及图7是根据本专利技术一些实施例的帮助示出OPC工艺的各种示例性IC布局图案的示意性顶视图。图8和图9是根据本公开一些实施例的执行OPC的方法的流程图。具体实施方式以下公开提供了许多不同的用于实施本专利技术主题的不同特征的实施例或实例。以下描述部件或配置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不用于限制。例如，在以下的描述中，在第二部件上方或之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成为直接接触的实施例，并且也可以包括可以在第一部件和第二部件形成附件部件使得第一部件和第二部分没有直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各个实例中重复参考标号和/或字母。这些重复是为了简化和清楚，其本身并不表示所讨论的各个实施例和/或结构之间的关系。此外，为了易于描述，可以使用空间相对术语(诸如“在…下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”等)以描述图中所示一个元件或部件与另一个元件或部件的关系。除图中所示的定向之外，空间相对术语还包括使用或操作中设备的不同定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，本文所使用的空间相对描述可因此进行类似的解释。在半导体制造中，工厂可从设计室接收IC布局设计文件(例如，以图像数据库系统(GDS)格式)。IC布局设计包含多种IC布局图案，其可以包括圆形、矩形或其他多边形。工厂执行光刻工艺来将布局图案的图像从光掩模转印至晶圆。然而，由于衍射或半导体处理所引起的各种效应，可能发生图像错误。结果，实际制造的IC布局图案不能充分类似于它们的原始设计。为了纠正该问题，光学邻近校正(OPC)用于补偿这些图像错误。例如，OPC可以移动光掩模上的IC布局图案的边缘或者再成形IC布局图案(例如，通过添加附加部件)。OPC使得实际制造的IC布局图案更接近于它们的预期设计。然而，在一些情况下，即使积极的OPC建模也是不够的。例如，通过使用间距曝光(pitchsplitting)来在先进的技术节点中实施双重图案化。目标布局可以被分裂为多层以放宽扫描器图案的保证度预算并且还放宽OPC的规则。对于一些特殊的目标布局(诸如非常小或者非常接近相邻部件的部件)，即使三次或四次间距曝光仍然不能解决这些问题。换句话说，即使在利用积极的OPC建模之后，图案部件仍然会合并到一起。本专利技术的目的在于解决在执行特定次数的间距曝光之后但仍然在工艺规定之外的这种类型的部件。在一些OPC工艺中，IC布局图案的边缘被划分为多个部分，并且目标点被分配给这些部分来通过。进行模拟以检查制造的IC布局图案看起来如何。基于模拟结果，可以调整划分和目标点，此后可以再次重复模拟。然而，传统的OPC工艺不能充分考虑彼此相邻的IC布局图案(例如，即使通过双重图案化技术(包括三次或四次间距曝光)也不能分辨的IC布局图案)之间的交互。换句话说，传统的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种执行光学邻近校正(OPC)的方法，包括：接收集成电路(IC)设计布局，所述设计布局包含多个IC布局图案；将所述多个IC布局图案中的两个或多个成组；对成组的IC布局图案进行划分或设置目标点；以及此后基于所述成组的IC布局图案执行光学邻近校正工艺。

【技术特征摘要】
2015.08.21 US 14/831,9261.一种执行光学邻近校正(OPC)的方法，包括：接收集成电路(IC)设计布局，所述设计布局包含多个IC布局图案；将所述多个IC布局图案中的两个或多个成组；对成组的IC布局图案进行划分或设置目标点；以及此后基于所述成组的IC布局图案执行光学邻近校正工艺。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述成组包括：识别相互邻近的IC布局图案；以及至少将所识别的IC布局图案中的子集分组到一起。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述成组还包括：识别相互邻近的IC布局图案之间的交互区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述交互区域内执行所述划分或设置所述目标点。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述划分或设置所述目标点包括移动划分位置或目标点。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述划分或设置所述目标点包括在所述交互区域内添加一个或多个辅助目标点。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分组包括：将相互邻近或者具有显著不同加载...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文立，池明辉，刘如淦，黄文俊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71