本发明公开了一种半导体结构，包括：基板、缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层、以及复合阻挡层。缓冲层位于基板上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。掺杂化合物半导体层位于阻障层上。复合阻挡层位于掺杂化合物半导体层上，复合阻挡层...

一种半导体结构，包含超晶格结构、电隔离层、通道层及组成渐变层。超晶格结构设置于基底上，电隔离层设置于超晶格结构上，通道层设置于电隔离层上，以及组成渐变层设置于电隔离层与超晶格结构之间，其中组成渐变层与超晶格结构包含一相同的第三族元素，且...

一种半导体结构，包含缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层及组成渐变层。缓冲层设置于基底上，通道层设置于缓冲层上，阻障层设置于通道层上，掺杂化合物半导体层设置于阻障层上，且组成渐变层设置于阻障层与掺杂化合物半导体层之间，其中阻障层与...

本发明提供一种半导体结构，包括一基板、第一阱、第二阱、第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极结构、第一绝缘层以及第一场板结构。第一阱及第二阱设置于该基板内。第一掺杂区设置于第一阱之中。第二掺杂区设置于第二阱之中。第一栅极结构设置于第一掺杂区与...

一种电压追踪电路以及电子电路，其中电压追踪电路用以追踪第一电压端上的第一电压与第二电压端上的第二电压中的一者以产生输出电压。电压追踪电路包括第一与第二P型晶体管以及降压电路。第一P型晶体管的漏极耦接第一电压端。降压电路耦接于第一电压端与...

本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括：至少一晶体管、浅井区、保护环、以及多个第一掺杂区及多个第二掺杂区。所述至少一晶体管位于一基板上，所述至少一晶体管包括源极结构、栅极结构、及漏极结构。浅井区围绕所述至少一晶体管。浅井区具有第一导...

本发明提供了一种半导体结构和操作电路，该半导体结构包括一基板、一第一阱区、一第二阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一栅极电极层、一绝缘层、一场板以及一可调电路。第一阱区及第二阱区形成于基板之上。第一掺杂区形成于第一阱区之中。第二掺杂区形...

一种半导体结构，包括陶瓷基底、第一键合层、第二键合层、空腔、及半导体层。其中，陶瓷基底包括位于其表面的孔洞。第一键合层设置于陶瓷基底的表面之上，且第二键合层键合至第一键合层。空腔设置于孔洞的上方且被第一键合层及第二键合层围封。半导体层延...

提供形成半导体装置的方法，包括：在基板之中形成沟槽，其中沟槽包括缺陷，且缺陷突出于沟槽的底部；在基板之上形成可流动材料以至少部分覆盖缺陷；执行刻蚀工艺以减低缺陷的高度；以及去除可流动材料。以及去除可流动材料。以及去除可流动材料。

一种高电子迁移率晶体管，其中半导体通道层及半导体阻障层设置于基底上。图案化半导体保护层设置于半导体阻障层上，且图案化半导体盖层设置于图案化半导体保护层及半导体阻障层之间。层间介电层覆盖图案化半导体盖层及图案化半导体保护层，且层间介电层包...

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、闸极场板、源极电极、至少一第一场板及第二场板；闸极场板设置于半导体阻障层上；源极电极设置于闸极场板的一侧，而第一场板设置于闸极场板的另一侧且侧向分离于...

本发明公开了一种兰姆波谐振器及其制作方法，该兰姆波谐振器包括：一压电材料层；一第一指状电极，设置于所述压电材料层的一侧，该第一指状电极包括一第一主干部与复数个第一分支部；一第二指状电极，设置于所述压电材料层的所述一侧，该第二指状电极包括...

本发明提供一种微机电装置及其形成方法，微机电装置包括复合基底、空腔、压电堆叠结构以及质量块。复合基底包括由下而上依序堆叠的第一半导体层、黏合层以及第二半导体层。空腔设置于复合基底内，空腔从第二半导体层延伸到第一半导体层且不贯穿第一半导体...

本发明提供一种高压半导体装置，其包括基底、第一井区、第二井区、第一绝缘层、源极、漏极、第一电极结构以及第二电极结构。第一井区以及第二井区设置在基底内，并分别具有互补的第一导电类型以及第二导电类型。第一绝缘层，设置在第一井区上。源极以及漏...

本发明实施例提供一种电容式生物感测器。电容式生物感测器包括：晶体管、设置于晶体管上的内连线结构以及设置于内连线结构上的钝化层。内连线结构包括晶体管上的第一金属结构、第一金属结构上的第二金属结构以及第二金属结构上的第三金属结构。第三金属结...

提供一种半导体装置及其形成方法。此方法包括：提供基板，基板上依序形成有缓冲层、通道层、及阻障层；形成掺杂化合物半导体层于部分阻障层上；形成第一刻蚀停止层于掺杂化合物半导体层上；形成第二刻蚀停止层于第一刻蚀停止层上；形成介电层于第二刻蚀停...

本发明提供了一种静电放电保护电路以及半导体电路，用于一半导体元件。半导体元件具有第一漏/源极电极以及第二漏/源极电极，且由深阱包围。静电放电保护电路包括控制电路以及放电电路。控制电路电连接于第一漏/源极电极与电源端之间，具有电连接深阱的...

本发明公开了一种压电微机械超声波换能器及其制作方法，该压电微机械超声波换能器包括：一基底，包括一角部；一空腔，设置于所述基底内；一阻挡结构，接触所述基底的所述角部和所述空腔；以及一多层结构，设置于所述空腔上方并附着所述阻挡结构，其中，该...

一种半导体结构，包括基板、半导体磊晶层、半导体阻障层、第一半导体元件、绝缘掺杂区、及至少一绝缘柱。基板包括基材和复合材料层，半导体磊晶层设置于基板上，半导体阻障层设置于半导体磊晶层上。第一半导体元件设置于基板上，其中第一半导体元件包括位...

本申请提供一种冷水循环系统，其将一冷却装置组包含的一第一冷却装置以一第一管路以及一第二管路连通一热交换装置，将一发热装置以一第三管路以及一第四管路连通该热交换装置，再利用该第四管路设置的一分流腔室以一第五管路连通该冷却装置组包含的一第二...