一种具尖角的非挥发性记忆体的制造方法，包括在半导体底材上形成第一介电材料层作为闸极介电材料，并沉积第一导电层于第一介电材料层上；沉积第二介电材料层于第一导电层上。此第二介电材料层与第一导电层为下一层图案；通过非等向性蚀刻制作具尖角的导电...

一种非挥发性记忆元件及其制造方法，包括形成有浅沟槽隔离区与主动区的一半导体基底，在主动区上设置有一浮置闸极，且两者间介有第一介电层。在浮置闸极上设置有控制闸极，且两者间介有第二介电层，其浮置闸极的横截面的宽度小于主动区的宽度。此记忆元件...

一种堆迭式闸极快闪记忆元件，它是形成在－Ｐ－淡掺杂的硅基底上，在此基底上形成有隧穿氧化层。在隧穿氧化层上形成有堆迭闸极，包括浮置闸极、闸极间介电层和控制闸极。堆迭闸极在浮置闸极、闸极间介电层和控制闸极的边缘具有侧壁。具有一源极线介于堆迭...

本发明提供一种高耦合率快闪存储器及其制造方法，在本发明中，同时形成沟渠以及悬浮闸极的制作，且自对准形成矽岛做为悬浮闸极；本发明方法至少包含形成隧穿介电层于一基板之上，之后沉积第一导电层于隧穿介电层之上，再蚀刻第一导电层、隧穿介电层以及基...

本发明的侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构，包括有一马蹄型的闸极层，是由一第一直向延伸区域、一第二直向延伸区域以及一横向延伸区域所连接构成。一第一源极区域是形成于该闸极层的第一直向延伸区域的左侧壁周围，一第二源极区域是形成于该闸极层的第...

一种可增加穿透电压的高压组件及其与低压组件制程匹配的制作方法。一半导体硅基底，其表面上定义有一高压组件区域。一闸极结构，形成于该高压组件区域内。一轻掺杂区域，形成于该闸极结构侧边的该半导体硅基底内。一侧壁子，形成于该闸极结构的侧壁上。一...

一种嵌入式存储器的闸极制程，包括下列步骤：　　　　提供一半导体硅基底，其包含有一存储单元区域以及一逻辑电路区域；　　　　形成一第一介电层于该半导体硅基底表面上；　　　　形成一闸极结构于该存储单元区域内的该第一介电层表面上；　　　　形成一...

一种高压集成电路的静电放电保护装置，其特征在于所述静电放电保护装置包括：　　　　一第一导电型基底；　　　　一第二导电型井区，形成于该基底中；　　　　一第二导电型第一扩散区，形成于该基底中；　　　　一栅极，用以控制该第二导电型第一扩散区与...

本发明是关于一种具高静电放电防护耐受能力的高压组件结构，是适用于一静电放电防护电路中，此ＥＳＤ防护组件是包括沟道区域、汲极区域及源极区域，其主要特征是在于汲极区域的宽度是沿一纵轴方向而变化，使每一汲极区域的侧边边缘至对应的沟道区域侧边呈...

一种非挥发性存储单元（Ｍｅｍｏｒｙ　　Ｃｅｌｌ），包括一开关装置，设置于一基板上；一第一平板电容，具有一第一掺杂区；以及一第二平板电容，具有一第二掺杂区，其中该开关装置与第一、第二平板电容是共享一多晶硅浮置栅极，以储存电荷作为该非挥发性...

一种具有间隙结构的高压静电放电保护装置，运用于横向扩散金氧半场效晶体管（ＬＤＭＯＳ）。本发明利用ＬＤＭＯＳ既有的结构，额外加上一间隙结构，用以分隔扩散区与场氧化区。当ＬＤＭＯＳ的一寄生的硅控整流器未导通时，使ＥＳＤ电流分散于其它放电路径...

本发明是关于一种存储器的自动循序烧录判别装置与方法，所述的装置包括一电流感测器以及一烧录控制器，该电流感测器耦接至一烧录电源与存储单元，其检测该烧录电源至该存储单元之间是否有烧录电流的变化，并据此产生一控制信号，该烧录控制器耦接至该电流...

本发明是一种减少存储器中区域字线解码器的半导体面积的方法和电路。该区域字线解码器的半导体面积的减少可借助去除具有三个晶体管的区域字线解码器中的一个晶体管，以及加入可供二个区域字线解码器共用的第五个晶体管来实现。因为该第五个晶体管被安置在...

一种在制造工厂中操作批次序列机器的方法，用以最优化一通过一系列工序处理站的工作批量的工序，该工序处理站执行各种工序功能，该方法包括下列步骤：收集用于通过各工序处理站的批量工序的间隔时间（Ｉ↓［ｉ，ｊ］）；形成一通过工序处理站的批量工序的...

一种可以在晶片上无条纹涂敷光敏光刻胶层的方法。此方法可以下列方式达成，首先以某一特定速率，以某种特定媒剂或溶液预润湿晶片，而将此晶片加速至一预定之旋转速度。然后停止供应此预润湿溶液，接着将晶片加速至第二旋转速度。再接着将晶片加速至第三旋...