一种横向双扩散金氧半导体装置及其制造方法，其包括：半导体基板；外延半导体层，形成于该半导体基板上；栅极结构，设置于该外延半导体层上；第一掺杂区，设置于邻近该栅极结构的一第一侧的该外延半导体层内；第二掺杂区，设置于相对该栅极结构的该第一侧...

本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括：外延半导体层，位于一半导体基板上；栅介电层，位于该外延半导体层上；栅堆叠物，位于该栅介电层上；第一掺杂区，位于该栅堆叠物的第一侧的该外延半导体层内；第二掺杂...

一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，其中，所述横向双扩散金属氧化物半导体装置包括：半导体基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；井区，位于该半导体基板的一部内；栅极结构，位于该半导体基板的一部上；第一掺杂区，位于邻近该栅极结...

本发明揭露一种半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括一基板，其具有一主动区及位于主动区内的一场板区。至少一沟槽式栅极结构位于基板内，其中场板区位于沟槽式栅极结构的一第一侧。至少一源极掺杂区位于沟槽式栅极结构的一第二侧的基板内，其中第...

本发明揭露一种半导体装置及其制造方法，其中，所述装置包括一基板，其具有一主动区及位于主动区内的一场板区及一基体区，其中基体区位于场板区的一第一侧。至少一沟槽式栅极结构位于基体区的基板内。至少一源极掺杂区位于基体区的基板内，其中源极掺杂区...

本发明提供一种接触插塞及其制造方法，包括：提供一硅基板，其具有至少一开口；于开口内顺应性形成一钛层；于开口内的钛层上顺应性形成一第一阻障层；对钛层及第一阻障层实施一快速热处理；以及在实施该快速热处理之后，于开口内的第一阻障层上顺应性形成...

本发明公开了一种高电压半导体元件及其制造方法，其中，所述高电压半导体元件包括：半导体基板，具有一第一导电类型；栅结构，位于该半导体基板的一部上；一对间隔物，分别设置于该栅结构的一侧壁上，其中该对间隔物之一为包括接触该栅结构的第一绝缘间隔...

本发明公开了一种半导体装置，其包括：多个第一外延层、一第二外延层以及一栅极结构。第一外延层叠置于一基底上，且具有一第一导电类型。每一第一外延层内具有至少一第一掺杂区及与其相邻的至少一第二掺杂区，第一掺杂区具有一第二导电类型，且第二掺杂区...

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底、第一及第二外延层以及一栅极结构。基底具有一第一掺杂区及位于其上的一第二掺杂区，其中第一及第二掺杂区具有一第一导电类型，且第二掺杂区内具有至少一第一沟槽及与其相邻的至少一第二...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供半导体基底，具有第一导电类型；于半导体基底上形成外延层，具有第一导电类型；于外延层中形成多个第一沟槽；于第一沟槽的侧壁和底面上形成多个第一绝缘衬垫层；将具有第一导电类型的第一掺质沿第一沟槽的侧...

本发明提供一种深沟槽绝缘结构的制法，包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一沟槽于一半导体基材中；顺应性地形成一第一衬层于第一沟槽的侧壁与底部；形成一第一填充层于第一衬层之上并填满第一沟槽；于半导体基材与第一沟槽之上形成一磊晶层；形成...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于该第一导电型衬底上；一栅极结构，包括一第一侧边与第二侧边，其中该第一侧边位于该第二导电型井区上；一第二导电型扩散源极，位于该第二侧边外侧的该第一导电型...

本发明公开了一种静电放电防护装置及电路，包括衬底、第一井区、第二井区、第一、第二、第三及第四扩散区、本体、第一及第二栅极。衬底具有第一导电型。第一及第二井区具有第二导电型，并形成于衬底之中。第一扩散区具有第三导电型，并形成于第一井区之中...

本发明公开了一种静电放电防护装置，包括，一P型井区、一第一N型掺杂区、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区以及一第二N型掺杂区。第一N型掺杂区形成在P型井区之中。第一P型掺杂区形成在第一N型掺杂区之中。第二P型掺杂区具有一第一部分以及一第...

本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，包括提供一衬底具有沟槽构造在该衬底中。形成一牺牲氧化层，顺应性地覆盖该沟槽构造与该衬底的表面。沿垂直方向形成一氧化层，使该牺牲氧化层在该衬底的表面及在该沟槽底部的部分增厚；移...

本发明提供一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；一埋藏层，位于该基底内；以及第一深沟渠接触结构，形成该基底内，其中该第一深沟渠接触结构包含一导电材料，以及一位于该导电材料的侧壁上的衬垫层，且该第一深沟渠接触结构的底表面与...

本发明提供一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，所述元件包括一半导体基底；一高压N-型阱于该半导体基底中；一图案化的隔离区设置于该高压N-型阱上，定义一第一主动区及一第二主动区；一N-型双扩散区设置于该高压N-型阱的该第一主动区中；...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于该第一导电型衬底上；一第二导电型扩散源极与一第二导电型扩散漏极，位于该第一导电型衬底上；一栅极结构，位于该第二导电型扩散源极与该第二导电型扩散漏极之间...

本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；于该基底上形成一导电层；于该导电层上形成一第一图案化掩模层；移除该第一图案化掩模层露出的该导电层，使该导电层的一第一侧边露出；以该第一图案化掩模层作为屏蔽进行掺杂步骤，以于该...

本发明提供一种整合ＣＭＯＳ组件及ＢＪＴ组件的半导体装置的制造方法，其包括提供一半导体衬底具有一第一区域和一第二区域，其中第一区域包括一ＣＭＯＳ组件，且第二区域包括一ＢＪＴ组件。顺应性地沉积一介电层于所述半导体衬底上。移除部份的所述介电层...