本发明提供一种具有肖特基二极管的高压半导体元件，其包括一ＬＤＭＯＳ元件包括：一半导体基底；一Ｐ－型体掺杂区于该基底的一第一区域中；一Ｎ－型漂移区于该基底的一第二区域中，且与Ｐ－型体掺杂区间存在一结；一绝缘区于基底上，定义出一主动区域；一...

本发明提供一种高压半导体元件装置，其包括一第一型掺杂半导体基底，及一第二型掺杂外延半导体于第一型掺杂半导体基底上。一第一型体掺杂区设置于第二型掺杂外延半导体中。一浓掺杂漏极区形成于第二型掺杂外延半导体中，且与第一型体掺杂区间隔以一隔离区...

本发明提供一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，所述元件包括一半导体基底，一图案化的隔离区设置于该半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区。一高压Ｎ－型阱位于该半导体基底的该第一主动区中。一Ｐ－型体掺杂区于该半导体基底的该第二主...

一种空气清净装置，包括一壳体、一鼓风机、一化学滤网以及一微粒子滤网；壳体包括一进风口以及一出风口；鼓风机，设置于该壳体中；化学滤网设置于进风口，并位于鼓风机的一侧；微粒子滤网设置于出风口，并位于鼓风机的另一侧。本发明的空气清净装置为一种...

本发明提供了一种研磨设备，该研磨设备用以研磨至少一晶片，包括一主体、一研磨盘、一辅助治具以及至少一轴心，研磨盘以可旋转的方式设置主体上；辅助治具设置于研磨盘上方，并具有至少一定位部；轴心具有一端面，晶片则固定于端面上；当轴心放置于定位部...

本发明提供一种调变触发式静电放电防护器件，该器件包括一半导体基底，一高压Ｎ－型阱于该Ｐ－型半导体基底中，一Ｎ－型漏极飘移（ＮＤＤ）区、一第一Ｐ－型体掺杂区及一第二Ｐ－型体掺杂区设置于该高压Ｎ－型阱中，其中该第一Ｐ－型体掺杂区和该第二Ｐ－...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体衬底，包括一第一型阱和一第二型阱；多个结区，位于该第一型阱和一第二型阱之间，其中每个结区位于该第一型阱和该第二型阱之间，且紧邻该第一型和第二型阱；一栅极，设置于该半导体衬底...

本发明是提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括磊晶层设置于半导体基底上，复数个电子器件设置于磊晶层上，以及沟渠隔离结构设置于该些电子器件之间，其中沟渠隔离结构包括：沟渠设置于该磊晶层及该半导体基底内，氧化衬层设置于沟渠内，覆盖...

本发明提供一种形成高压元件深阱的方法，该方法包括：提供一基底，该基底上具有一第一牺牲层；形成一第一图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出一第一开口区；对该第一开口区进行第一离子掺杂，以形成一第一次掺杂区；移除该第一图案化遮蔽层与该第一牺牲层；...

一种存储器系统，该系统包括至少一存储单元和一源极电源驱动电路。各存储单元耦接于源极电压和接地电压之间并根据一字元线信号和一位元线信号存取一数字数据。源极电源驱动电路提供源极电压给存储单元，当存储单元为读取状态时，源极电压为第一电源电压，...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括提供一基板；于上述基板上分别形成一第一栅极绝缘层和一第二栅极绝缘层；全面性形成一栅极层；移除部分上述栅极层、上述第一栅极绝缘层和部分上述第二栅极绝缘层，以形成一第一栅极、一残留第一栅极绝缘层...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一衬底，包括一Ｐ型阱；一低压元件区和一高压元件区，位于该Ｐ型阱中；以及一第一型离子场，位于该Ｐ型阱内且选择性分布于该高压元件区以外的区域。该装置可降低金属氧化物半导体装置与高压元件区接面...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述的半导体装置包括一基底；一埋层，形成于所述的基底内，其中所述的埋层包含一绝缘区及一导体区；以及一深沟渠接触结构，形成所述的基底内，其中所述的深沟渠接触结构包含一导电材料，且所述的导电材料与所述的...

本发明提供一种半导体装置、晶体管及其制造方法，该半导体装置的制造方法包括于一基板上形成一外延层，其中上述外延层的导电类型与上述基板的导电类型相同；于上述外延层中形成一第一掺杂区，其中上述第一掺杂区的导电类型与上述外延层的导电类型相反；进...

本发明提供一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；一绝缘埋层，形成于该基底内；至少一深沟渠绝缘结构，形成于该绝缘埋层上；以及一深沟渠接触结构，形成于所述这些深沟渠绝缘结构之间，且该深沟渠接触结构与于位于该绝缘埋层下的该基底...

本发明提供一种不对称静态随机存取存储器，包括至少一个静态随机存取存储单元，静态随机存取存储单元包括一第一反相器和一第二反相器。第一反相器耦接于第一电源和接地电源之间，并具有第一输出端耦接第一节点和第一输入端耦接第二节点。第二反相器耦接于...

本发明提供静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法。静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）老化筛选方法藉由控制静态随机存取存储器一存储单元的相关控制信号令所述存储单元与相关的一位线与一互补位线组成电流回路，以电流对所述存储单元的金属接点...

本发明为一种聚焦环，该聚焦环包括一开口、一环状平面以及一凹槽。前述开口是用以容置一半导体晶片，前述环状平面则环绕前述开口。特别地是，前述凹槽是环绕设置于环状平面上。本发明可抑制沉积物翘起或由聚焦环上崩落而造成污染，由此可大幅提升工艺的优...

本发明提供一种萧基二极管装置及其制造方法，所述萧基二极管装置包括：一ｐ型半导体结构；一ｎ型漂移区，设置于所述ｐ型半导体结构表面，包括掺质浓度相异的一第一ｎ型掺杂区以及一第二ｎ型掺杂区，而所述第二ｎ型掺杂区具有较所述第一ｎ型掺杂区为高的掺...

本发明提供一种高压半导体装置的制造方法。提供一半导体基底，具有浅沟槽隔离区定义出第一和第二区域。形成第一掺杂井区于第一区域中与第二掺杂井区于第二区域中。形成第一型双扩散漏极于第二掺杂井区中与第二型双扩散漏极于第一掺杂井区。毯覆性地形成栅...