一种半导体存储器件的小型互连与电容器制造方法。该方法用两组隔离垫，形成自动对准的源极／位线接触与电容器的存储电极。第一隔离垫位于层间介电层的侧壁上，限定出源极／位线的接触窗。随后，第二隔离垫形成在位线的侧壁上，限定出电容器的存储电极。自...

一种高密度动态随机存取存储器电容器的制造方法。利用单一蚀刻在半导体衬底上制作电容器，该电容器由接触窗与金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电接触。本发明可减少使用光刻胶的数量且将不去除限定的光刻胶而直接蚀刻该光刻胶与该多晶硅层形成电容，利...

本发明提出一种集成电路导电体连线的制造方法；利用光刻技术在介电层形成浅凹沟和阶梯型深洞孔，然后利用化学气相沉积法沉积一层金属填满浅凹沟和阶梯深洞孔，阶梯型深洞孔提供了较理想的阶梯覆盖能力，再利用等离子体蚀刻技术或化学机械抛光技术去除浅凹...

一种形成多层非晶硅的方法，包含在一半导体底材上形成一氧化硅层；在氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在多晶硅层上形成一金属硅化层；及在金属硅化层上定义闸极区。本发明可以减低氟原子对于氧化硅层及整个元件的影响并可以减低多晶硅化金属与金属连线...

本发明公开了一种改善动态随机存取存储器的存储元阵列和外围电路的高度差的方法。利用在存储元阵列的外围电路区域形成总体平坦化氧化层，本发明公开的方法大幅降低存储元阵列和外围电路的地形地势的高度差，使得后继微影制程容易进行，提高产品的优良率。

一种制作三层多晶硅层ＤＲＡＭ的方法，提供衬底上的两个分离转移栅间的漏极，漏极上的第一氧化硅绝缘层，有多晶硅上电极层的电容，延及漏极上的多晶硅上电极层，及金属间电介质层。在金属间电介层中形成位线接触开口，止于漏极上的上电极层处；用各向异性...

一种半导体元件中，在非导电层内形成凹穴的方法，包括步骤：先提供一半导体基底，其上具有一非导电层及一设定图案的光阻层，在光阻层及非导电层上均匀淀积一聚合物层，再蚀刻聚合物层以在光阻层上形成聚合物侧壁间隙。然后蚀刻非导电层直至半导体基底，形...

一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，包含在半导体基底上形成一电容结构、一埋藏的位元线结构与一字元线结构，电容结构垂直对准字元线结构上方，至于埋藏的位元线结构则垂直对准字元线结构下方。此种结构将字元线结构垂直形成于一窄的元件凹洞中，上...

多晶硅的电阻值通常因氢原子的穿透进入而经常变化，从而造成多晶硅的电阻值不稳定，传统解决的方法为淀积一层氮化硅层于多晶硅电阻层之上以防止氢原子的穿透，然而此方法将增加工艺的复杂性，本发明是利用后续淀积的膜层来遮盖多晶硅电阻层的布局结构以增...

本发明提出一种在集成电路中形成氮化层的热回火法。首先要预备一面基板。然后在基板上形成一层形成氮化物所需的材料。这层形成氮化物所需的材料，再于活化氮的氛围中利用热回火法加以回火，而形成氮化层。当在集成电路中形成氮化钛的障蔽层与氮化钛的附着...

利用ＢＦ↓［２］穿越硅化钨形成Ｐ↑［＋］多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法，利用磷离子存在于栅极中用以牵制固定硼离子而降低硼离子的穿透栅极氧化层，此过程为利用ＢＦ↓［２］穿越硅化钨形成Ｐ↑［＋］硅层，注入能量为２０至１８０Ｋｅ...

一种形成更小尺寸梯形多晶硅接触插塞的方法，其利用最少一个多晶硅侧间隙壁作掩模，各向异性地蚀刻氧化层，以形成一用来沉积高掺杂浓度多晶硅的接触窗，其中沉积的高掺杂浓度的多晶硅用以形成接触插塞。根据本发明，可形成梯形的接触插塞，其工艺步骤简单...

一种利用多晶硅半球的晶粒扩展表面面积以形成电容器电极板的方法，此多晶硅半球的晶粒形成在第一电容器电极板的顶表面与侧壁；一垂直各向异性蚀刻步骤形成一第一电容器电极板的不规则的顶表面，并且一回火步骤提供在多晶硅半球的晶粒与第一电容器电极板的...

一种避免掺杂介电层内发生掺杂扩散的接触窗回火的方法，其在接触窗口内沉积作为牺牲阻挡层的氧化层，使得在对掺杂介电层实施高温热流工艺时，氧化层能够防止掺杂离子扩散进入接触窗口，接着，沉积一导电金属进入接触窗口。

一种存储单元阵列的制造方法，其步骤包括在半导体基底上形成多个渠沟与一晶体管；沉积第一绝缘层，以填满渠沟，形成多个绝缘塞；沉积第二绝缘层，在其上形成一开口，露出半导体基底，以及露出绝缘塞之一的角落；蚀刻该角落，形成一凹槽，在凹槽中沉积一掺...

一种利用预处理去除内连线上的有机金属的方法，反应气体为ＮＨ↓［３］以及Ｎ↓［２］Ｏ，制造过程的气压约为２．５ｔｏｒｒｓ，等离子体的功率约为１００ｗａｔｔｓ，极板间距约为４５０ｍｉｌｓ，气体ＮＨ↓［３］以及Ｎ↓［２］Ｏ的流量分别为１００ｓ...

一种集成电路的制造方法包括步骤：预备半导体基板，其上形成半导体元件结构；形成绝缘层，在绝缘层上形成第一导电层，第一导电层向下延伸穿过绝缘层，与半导体元件结构之一接触；形成层间介电层，其包括在第一导电层上沉积第一介电层；涂布旋涂玻璃层；对...

本发明揭露一种在一动态随机存取存储器中制作一半导体存储单元的方法。本发明利用一内接填塞（Ｉｎｔｅｒｐｌｕｇ）技术及氮化硅侧壁间隙壁，以改进电容底部电极接触窗过深的蚀刻而造成的损坏和降低对一般平台垫工艺（Ｌａｎｄｉｎｇ ｐａｄ ｐｒｏ...

在蚀刻步骤中，形成多个不同深度接触窗的方法。该半导体晶片包含一介电层，其下包含有一硅衬底、一氮化硅层以及一氮氧化硅层，此方法包含下列步骤：首先限定一光刻胶层在介电层上，此氮氧化硅层下方具有一第一导电层，此氮化硅层下方具有一第二导电层。接...

一种高密度ＤＲＡＭ电容器结构的制造方法，在一半导体基底上形成一深口袋（ｐｏｃｋｅｔ）ＣＯＢ结构，以增加电容器表面积，达到电容量增加的目的。而且为避免ＨＳＧ残留在存储节点接触孔洞外，无法获得最小化节点间距，本发明将提出在存储节点结构与位线...