苏州厚朴传感科技有限公司专利技术

苏州厚朴传感科技有限公司共有17项专利

  • 本申请涉及一种芯片用焊线转接结构,其包括壳体,所述壳体用于安装芯片,所述壳体穿设有多个管壳引脚,相邻两个所述管壳引脚间距大于相邻两个芯片引脚间距,所述管壳引脚一端位于所述壳体内,所述管壳引脚另一端位于所述壳体外并用于与焊线电连接,所述壳...
  • 本发明涉及激光照明技术领域,尤其是涉及一种基于TO封装的激光大灯,包括激光照明模块和用于对所述激光照明模块进行TO封装的TO封装模块,所述TO封装模块包括封装底盘和封装管壳,所述封装管壳固定设置在所述封装底盘上,所述激光照明模块包括用于...
  • 本申请涉及半封闭式氦质检漏装置,包括检测组件,检测组件包括氦质谱检漏仪,氦质谱检漏仪上固定设置有检测盘,检测盘上固定设置有橡胶垫,橡胶垫上开设有与氦质谱检漏仪相连通的检氦孔,待测件能够放置在橡胶垫上并将检氦孔覆盖住,氦质谱检漏仪能够对检...
  • 本发明涉及激光照明技术领域,尤其是涉及一种激光大灯及其TO封装结构,包括TO管座和TO管帽,所述TO管座上固定设置有用于辅助所述TO管座和所述TO管帽封接的封接辅助环片,所述TO管帽固定设置在所述封接辅助环片背离所述TO管座的一面上,所...
  • 本申请涉及一种电阻焊的真空封焊装置,涉及电阻焊设备技术领域,为了解决人工焊接的作业效率较低的问题,其包括移动组件,所述移动组件包括位于位于第二传送带上方且平行的限位杆,所述限位杆上滑动设置有用于将工件从工作台与第二传送带之间来回搬运的夹...
  • 本申请涉及辅助工装技术领域,尤其涉及一种芯片批量化焊接工装,包括定位板,定位板上开设有多个用于容纳并一次定位管壳的容纳腔,定位板上开设有多个用于供盖板嵌入并定位的定位腔,容纳腔与定位腔连通,且定位腔和容纳腔的连接处形成用于支撑盖板的放置...
  • 本申请涉及一种热传导焊接治具,包括石墨底座,石墨底座上开设有凹槽形成产品外壳槽,产品外壳槽内放置有产品外壳,产品外壳上开设有焊料槽,焊料槽内放置有焊料框,焊料框内能够放置焊料框,焊料槽内铺外壳镀金层,产品外壳开设有芯片槽,焊料框上放置有...
  • 本申请公开了一种干燥装置及干燥系统,所述干燥装置包括:包括干燥筒、排水管道以及抽真空装置;所述干燥筒用于对待处理产品进行干燥处理;所述干燥筒上开设有进气口,所述进气口用于在对待处理产品进行干燥处理过程中与所述排水管道形成气流回路;所述排...
  • 本申请公开了一种抽真空加热干燥设备,所述抽真空加热干燥设备包括:加热腔室、抽真空装置、放气装置;加热腔室的排水管道出水口与抽真空装置连通,加热腔室的入气口与放气装置连通;加热腔室能够放置待处理产品,通过对待处理产品进行加热,减少产品表面...
  • 本申请公开了一种离心设备及离心系统,所述离心设备包括:离心装置、排水管道以及抽真空装置;排水管道的出水口与抽真空装置连通,排水管道的进水口与离心装置连通;抽真空装置能够使排水管道的出水口产生压力差;离心装置用于对待处理产品进行离心干燥处...
  • 本发明涉及远红外窄带滤光片技术领域,本发明公开了一种远红外窄带滤光片,包括正面膜系、基片和背面膜系,所述基片的两侧分别设置有正面膜系和背面膜系,所述正面膜系由硒化锌膜层和锗膜层交替叠加组成,所述背面膜系由硫化锌膜层和锗膜层交替叠加组成。...
  • 本发明公开了一种晶圆片镀膜表面颗粒控制的方法,包括以下步骤:步骤(1)、采用超声波水洗方式对硅片进行清洗;步骤(2)、采用表面颗粒扫描仪对硅片预镀制面进行扫描;步骤(3)、加料准备;步骤(4)、将硅片放置到镀膜机真空腔室内样品架上对基片...
  • 本实用新型公开了一种具有高反射率的银反射镜及高精度成像装置,包括基底、粘结膜层、银层、隔离膜层与介质膜层,所述银层设置于所述基底上,所述银层的厚度为180~200nm;所述介质膜层设置于所述银层上背离所述基底的一面,所述介质膜层由多层S...
  • 本发明公开了一种带深腔的晶圆级红外光学窗口,涉及到红外光学窗口领域,包括晶圆,所述晶圆的表面制作有带深腔的晶圆级红外窗口单元,所述晶圆的外围有用激光打穿的4个十字对准标记。本发明所有光刻图案均在平面上制作,避免在已经制备好深腔晶圆的上进...
  • 本发明提供一种非制冷探测器使用的红外滤光片,涉及非制冷探测器领域。该一种非制冷探测器使用的红外滤光片,包括红外滤光片包括正面膜系、单晶锗基底和背面膜系,所述的正面膜系结构和背面膜系结构分别设置于单晶锗基底的正面与反面,所述正面膜系由硫化...
  • 本发明提供一种工作波段为11500
  • 本发明公开了一种中红外双色滤光片及制备方法,包括正面膜系、基片与背面膜系,所述正面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成,所述硫化锌层和锗膜层共40层,所述背面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成,所述硫化锌层和锗膜层共48层,所述基片为硅基...
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