一种中红外双色滤光片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种中红外双色滤光片及制备方法，包括正面膜系、基片与背面膜系，所述正面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共40层，所述背面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共48层，所述基片为硅基片，所述基片的直径为30mm，所述基片的厚度为2mm。本发明专利技术所述的一种中红外双色滤光片及制备方法，光通过更具选择，通过在基底两侧分别设置主峰膜系结构和前后截止膜系结构，实现了3400

【技术实现步骤摘要】
一种中红外双色滤光片及制备方法


[0001]本专利技术涉及中红外滤光片领域，特别涉及一种中红外双色滤光片及制备方法。

技术介绍

[0002]双色滤光片是一种对特定两个波段具有高透射率，而对其两端的波段及两段高透波段之间的过渡波段高度截止的滤光片。中红外双色滤光片是在中红外波长范围内，在两端特定波长有较高的透过率，而在其余波段截止。其主要应用在红外光谱探测系统，在航天领域有非常重要的应用。随着空间红外技术的发展，对红外双色滤光片的波形要求也越来越高，需要能够有效滤除背景杂散信号，提高探测系统的信噪比。另外，除了对滤光片光学特性的高要求，在空间
对红外滤光片膜层可靠性也有极高的要求，目前可供选择的红外滤光片膜层材料品种很少，在制备时仍有非常高的难度。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种中红外双色滤光片及制备方法，光通过更具选择，通过在基底两侧分别设置主峰膜系结构和前后截止膜系结构，实现了3400
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4000nm&4500
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4900nm两个波段的光能量提升，并且很好的抑制了其它波段的光通带量，解决了一些特殊的红外光谱探测系统中红外滤光窗口的技术问题，为红外应用提供了新方案，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种中红外双色滤光片及制备方法，包括正面膜系、基片与背面膜系，所述正面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共40层，所述背面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共48层，所述基片为硅基片，所述基片的直径为30mm，所述基片的厚度为2mm。
[0007]作为本申请一种优选的技术方案，所述正面膜系为主峰膜系结构，所述主峰膜系结构包括：Sub/128.33H、31.50L、696.08H、53.87L、1019.82H、46.44L、982.90H、120.77L、1468.38H、259.37L、177.07H、75.75L、1138.70H、507.25L、95.70H、90.06L、1073.15H、776.83L、163.60H、1028.26L、550.61H、289.56L、199.23H、1076.25L、63.32H、1330.54L、121.69H、1861.82L、142.68H、290.55L、204.51H、215.66L、124.45H、1159.73L、165.27H、1041.64L、95.91H、1138.23L、144.81H、485.90L/Air，其中，所述Sub表示基片，所述Air表示空气，所述H表示物理厚度的Ge膜层，所述L表示物理厚度的ZnS膜层。
[0008]作为本申请一种优选的技术方案，所述背面膜系为前后截止膜系结构，所述前后截止膜系结构包括：Sub/88.00H、124.82L、153.24H、277.80L、116.03H、285.44L、172.52H、258.86L、123.05H、327.49L、153.93H、234.50L、139.93H、296.24L、152.06H、195.21L、77.71H、54.73L、92.60H、250.53L、132.24H、135.32L、87.65H、206.17L、109.75H、246.95L、144.79H、80.38L、103.15H、258.92L、102.23H、186.72L、316.76H、788.40L、329.04H、
741.52L、317.81H、759.14L、297.79H、771.67L、298.55H、783.59L、287.42H、807.21L、315.20H、884.31L、624.20H、457.48L/Air，其中，所述Sub表示基片，所述Air表示空气，所述H表示物理厚度的Ge膜层，所述L表示物理厚度的ZnS膜层。
[0009]一种中红外双色滤光片的制备方法，包括以下操作步骤：
[0010]S1：将所述基片放置到镀膜机真空腔室内对基片进行烘烤加热，烘烤温度设定为180℃，烘烤时间大于150min；
[0011]S2：使用高能量氩离子对所述基片的待镀制的一侧表面进行轰击，轰击时间为8min～10min，轰击参数为阳极电压150V阳极电流3A，阴极电流20A；
[0012]S3：在所述基片的一侧镀制主峰膜系结构，所述主峰膜系结构包括：Sub/128.33H、31.50L、696.08H、53.87L、1019.82H、46.44L、982.90H、120.77L、1468.38H、259.37L、177.07H、75.75L、1138.70H、507.25L、95.70H、90.06L、1073.15H、776.83L、163.60H、1028.26L、550.61H、289.56L、199.23H、1076.25L、63.32H、1330.54L、121.69H、1861.82L、142.68H、290.55L、204.51H、215.66L、124.45H、1159.73L、165.27H、1041.64L、95.91H、1138.23L、144.81H、485.90L/Air，其中，Sub表示基片，Air表示空气，H表示物理厚度的Ge膜层，L表示物理厚度的ZnS膜层，膜系结构式中的数字表示膜层的物理厚度，所述设计波长为5300nm；
[0013]S4：镀制完所述主峰膜系结构之后，对红外滤光片进行退火，退火温度为180℃，恒温时间为2小，降温速度为1
‑
1.2℃/min；
[0014]S5：在所述基片的另一侧镀制前后截止膜系结构，镀制流程参照镀制主峰流程，镀制膜层结构使用前后截止膜系结构，包括：Sub/88.00H、124.82L、153.24H、277.80L、116.03H、285.44L、172.52H、258.86L、123.05H、327.49L、153.93H、234.50L、139.93H、296.24L、152.06H、195.21L、77.71H、54.73L、92.60H、250.53L、132.24H、135.32L、87.65H、206.17L、109.75H、246.95L、144.79H、80.38L、103.15H、258.92L、102.23H、186.72L、316.76H、788.40L、329.04H、741.52L、317.81H、759.14L、297.79H、771.67L、298.55H、783.59L、287.42H、807.21L、315.20H、884.31L、624.20H、457.48L/Air，其中，Sub表示基片，Air表示空气，H表示物理厚度的Ge膜层，L表示物理厚度的ZnS膜层，膜系结构式中的数字表示膜层的物理厚度，所述设计波长为2560nm；
[0015]S6：镀制完所述前后截止膜系结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中红外双色滤光片，包括正面膜系(1)、基片(2)与背面膜系(3)，其特征在于：所述正面膜系(1)由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共40层，所述背面膜系(3)由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共48层，所述基片(2)为硅基片，所述基片(2)的直径为30mm，所述基片(2)的厚度为2mm。2.根据权利要求1所述的一种中红外双色滤光片，其特征在于：所述正面膜系(1)为主峰膜系结构，所述主峰膜系结构包括：Sub/128.33H、31.50L、696.08H、53.87L、1019.82H、46.44L、982.90H、120.77L、1468.38H、259.37L、177.07H、75.75L、1138.70H、507.25L、95.70H、90.06L、1073.15H、776.83L、163.60H、1028.26L、550.61H、289.56L、199.23H、1076.25L、63.32H、1330.54L、121.69H、1861.82L、142.68H、290.55L、204.51H、215.66L、124.45H、1159.73L、165.27H、1041.64L、95.91H、1138.23L、144.81H、485.90L/Air，其中，所述Sub表示基片(2)，所述Air表示空气，所述H表示物理厚度的Ge膜层，所述L表示物理厚度的ZnS膜层。3.根据权利要求1所述的一种中红外双色滤光片，其特征在于：所述背面膜系(3)为前后截止膜系结构，所述前后截止膜系结构包括：Sub/88.00H、124.82L、153.24H、277.80L、116.03H、285.44L、172.52H、258.86L、123.05H、327.49L、153.93H、234.50L、139.93H、296.24L、152.06H、195.21L、77.71H、54.73L、92.60H、250.53L、132.24H、135.32L、87.65H、206.17L、109.75H、246.95L、144.79H、80.38L、103.15H、258.92L、102.23H、186.72L、316.76H、788.40L、329.04H、741.52L、317.81H、759.14L、297.79H、771.67L、298.55H、783.59L、287.42H、807.21L、315.20H、884.31L、624.20H、457.48L/Air，其中，所述Sub表示基片(2)，所述Air表示空气，所述H表示物理厚度的Ge膜层，所述L表示物理厚度的ZnS膜层。4.一种中红外双色滤光片的制备方法，其特征在于：包括以下操作步骤：S1：将所述基片(2)放置到镀膜机真空腔室内对基片(2)进行烘烤加热，烘烤温度设定为180℃，烘烤时间大于150min；S2：使用高能量氩离子对所述基片(2)的待镀制的一侧表面进行轰击，轰击时间为8min～10min，轰击参数为阳极电压150V阳极电流3A，阴极电流20A；S3：在所述基片(2)的一侧镀制主峰膜系结构，所述主峰膜系结构包括：Sub/128.33H、31.50L、696.08H、53.87L、1019.82H、46.44L、982.90H、120.77L、1468.38H、259.37L、177.07H、75.75L、1138.70H、507.25L、95....

【专利技术属性】
技术研发人员：侯树军，周东平，侯树伟，樊利花，
申请(专利权)人：苏州厚朴传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：