一种微机电(MEMS)装置，包含具有空腔的基底，以及设置在空腔上且附着于基底的微机电结构。微机电结构包含复数个悬臂部分，其中每个悬臂部分包含自由端和锚端。此外，微机电装置还包含设置在微机电结构上方的膜片，且膜片包含复数个突出部，分别连接...

本发明提供一种半导体装置及其形成方法。其中半导体装置包含基板、外延层、电极结构、第一侧壁掺杂区、第二侧壁掺杂区与底部掺杂区。基板具有第一导电型。外延层具有第一导电型并设置于基板上。电极结构设置于外延层中。电极结构沿着一第一方向延伸。第一...

一种微机电(MEMS)装置，包含具有空腔的基底，以及设置在空腔上且附着于基底的微机电结构。微机电结构包含至少一第一压电层，具有第一压电系数，以及两个第二压电层，分别设置在第一压电层的下方和上方，其中每个第二压电层具有高于第一压电系数的第...

本发明公开了高电子迁移率晶体管结构及其制造方法，包括：设置于基底上的化合物半导体通道层；设置于化合物半导体通道层上的化合物半导体阻障层；设置于化合物半导体阻障层上的化合物半导体盖层，该化合物半导体盖层包括沿着第一方向排列的第一区块和第二...

一种半导体装置，包括一衬底，具有一第一导电类型；一外延层，形成于前述衬底上，且外延层具有第一导电类型；一井区形成于外延层中且具有一第二导电类型；一绝缘柱体，在外延层中延伸；一第一掺杂区形成于外延层中且围绕绝缘柱体的侧壁；一第二掺杂区具有...

一种半导体装置，包含化合物半导体通道层设置在基底上，且位于主动元件区和被动元件区，化合物半导体阻障层堆栈在化合物半导体通道层上，且位于主动元件区和被动元件区，源极电极、栅极电极和漏极电极，设置在化合物半导体阻障层上，且位于主动元件区，以...

一种半导体器件，包含具有主动组件区和被动组件区的基底，化合物半导体通道层、化合物半导体阻障层、第一化合物半导体盖层，依序设置于基底之上，且位于主动组件区，栅极电极设置于第一化合物半导体盖层上，源极电极和漏极电极设置于化合物半导体阻障层上...

本申请提供一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括具有第一导电类型的一衬底；形成于前述衬底上的一外延层，且前述外延层具有第一导电类型；自前述外延层的顶表面延伸至前述外延层中的一沟槽结构，前述沟槽结构包括一导电部以及包覆前述导电部的侧...

本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一磊晶层；至少一闸极沟槽，包括一下闸极沟槽和一上闸极沟槽，下闸极沟槽的宽度小于上闸极沟槽的宽度；至少一沟槽闸极结构，设置在至少一闸极沟槽中，至少一沟槽闸极结构包括：一底闸极结构，设置...

本申请公开一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括具有一第一导电类型的一基底、形成于前述基底上的一外延层、自前述外延层的顶表面延伸至外延层中的一井区、形成于前述外延层中且与前述井区的底表面接触的一漂移区、一栅极结构以及一导电结构...

一种半导体器件，包含高电子迁移率晶体管，设置在环状主动组件区中，以及电阻器，设置在被环状主动组件区围绕的被动组件区中。高电子迁移率晶体管包含化合物半导体阻障层的第一部份，堆栈在化合物半导体信道层的第一部份上，以及源极电极、栅极电极和漏极...

一种半导体装置，其包含半导体基底、磊晶层、复数第一金属结构、复数第一掺杂区、复数第二金属结构、复数第二掺杂区、导电层及肖特基层。磊晶层设置在半导体基底上。第一金属结构设置在该磊晶层中，并沿着第一方向延伸，且其在第二方向具有第一宽度。第一...

本发明公开了微机电系统封装及其制造方法，该微机电系统封装包括第一MEMS封装及第二MEMS封装，第二MEMS封装与第一MEMS封装横向隔开；第一MEMS封装包括：一第一元件基板，包括第一MEMS元件；一第一盖基板，键合到第一元件基板，其...

本申请公开一种静电放电保护电路以及电子电路；其中所述静电放电保护电路，包括第一晶体管至第三晶体管以及一放电电路。第一晶体管的漏极耦接接合垫，且其源极耦接第一节点。第二晶体管的栅极耦接电源端、其漏极耦接第一晶体管的栅极、以及其源极耦接接地...

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。此半导体结构包含基板、外延层、阱、栅极电极、导电结构与源极电极。基板具有第一导电型。外延层具有第一导电型并设置于基板上。阱具有不同于第一导电型的第二导电型并设置于外延层中。栅极电极设置于阱上。导电...

本发明实施例提供半导体装置。半导体装置包括半导体基板、第一深阱、至少两个第二阱、多个隔离结构以及注入区。第一深阱设置于半导体基板中，其中第一深阱具有第一导电类型。至少两个第二阱设置于第一深阱上，其中第二阱具有第二导电类型。多个隔离结构覆...

一种半导体结构的制造方法，包括提供衬底；在衬底上方形成图案化硬质掩膜层；刻蚀前述的图案化硬质掩膜层，使图案化硬质掩膜层有一引线孔至少贯穿图案化硬质掩膜层；在引线孔中形成阻挡部；去除图案化硬质掩膜层；在衬底内形成阱并对应阻挡部；以及形成栅...

本发明公开了一种微机电装置及其制造方法，该微机电装置包括第一基板、互连层、微机电装置层、停止部件和第二基板；互连层设置于第一基板上，包含交替堆栈的多个导电层与多个介电层；微机电装置层键合在互连层上，包含质量块；停止部件设置在质量块正下方...

一种半导体装置，包含第一导电类型的磊晶层设置于基底的表面上，沟槽设置于磊晶层中，栅极结构设置于沟槽内，包含上方导电部和下方导电部，介电分隔部设置于上方导电部和下方导电部之间，介电衬层设置于沟槽内且围绕栅极结构，介电衬层具有开口位于沟槽的...

一种半导体器件，包括绝缘基层、半导体层、绝缘层、隔离沟渠及吸除部位。半导体层及绝缘层依序设置于绝缘基层之上，且隔离沟渠设置于半导体层中且贯穿绝缘层。隔离沟渠由上至下包括第一截面、第二截面及第三截面，第一截面高于绝缘层的底面，第二截面及第...