【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，尤其涉及一种具有肖特基二极管(schottky diode)元件的半导体装置。
技术介绍
1、肖特基二极管元件是由金属与半导体接面构成的二极管元件，且由于其启动电压较pn二极管元件为低，加上反应速度较快，因此目前广泛地应用在电源转换电路(powerconverter)上。然而，现有肖特基二极管元件亦有其缺点，例如是对元件施予逆向偏压时，漏电流现象较为严重，或是肖特基二极管元件无法承受元件启动瞬间所产生的突波电流(surge current)。因此，如何改良现有肖特基二极管元件以符合实务上的需求仍为目前业界所面临的课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于改善前述肖特基二极管元件的缺点，解决现有技术所面临的问题。
2、为达上述目的，本专利技术提供一种半导体装置，其包含一半导体基底、一磊晶层、复数个第一金属结构、复数个第一掺杂区、复数个第二金属结构、复数个第二掺杂区、一导电层及一肖特基层(schottky layer)。磊晶层设置在半导体基底上，且具有一第一导电类型。第一金属结构设置在磊晶层中，第一金属结构相互平行地沿着一第一方向延伸，且第一金属结构在一第二方向具有一第一宽度。第一掺杂区设置在磊晶层中，且具有一第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型不同，各第一掺杂区从各第一金属结构的下部延伸至各第一金属结构的侧壁。第二金属结构设置在磊晶层中，第二金属结构相互平行地沿着第一方向延伸，且第二金属结构在第二方向具有一第二宽度，其中，第一宽度大于
3、本专利技术的半导体装置在顺向偏压操作时，可有效降低突波电流(surge current)的产生；在逆向偏压操作时，可提高崩溃电压(break down voltage,bvd)，进而提升其作为肖特基二极管元件的信赖度。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，彼此相邻的该第一金属结构和该第二金属结构被该磊晶层隔开。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各该第一掺杂区包含相反设置的第一侧壁和第二侧壁，各该第二掺杂区包含相反设置的第一侧壁和第二侧壁，各该第一掺杂区的一第二侧壁与相邻的各该第二掺杂区的一第一侧壁之间具有一第一间距，各该第一掺杂区的一第一侧壁与相邻的各该第二掺杂区的一第二侧壁之间具有一第二间距；
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一间距及该第二间距皆等于该第一宽度且大于该第二宽度。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一间距及该第二间距皆小于该第一宽度，且该第一间距及该第二间距皆大于该第二宽度。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该些第一金属结构与该些第二金属结构在一第三方向具有相同深度，该第三方向垂直于该第一方向和该第二方向。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该些第一金属结构在一第三方向的深度小于该些第二
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该些第一掺杂区与该些第二掺杂区在一第三方向具有相同深度。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该些第一掺杂区在该第三方向的深度小于该些第二掺杂区在该第三方向的深度。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，彼此相邻的该第一金属结构和该第二金属结构被该磊晶层隔开。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各该第一掺杂区包含相反设置的第一侧壁和第二侧壁，各该第二掺杂区包含相反设置的第一侧壁和第二侧壁，各该第一掺杂区的一第二侧壁与相邻的各该第二掺杂区的一第一侧壁之间具有一第一间距，各该第一掺杂区的一第一侧壁与相邻的各该第二掺杂区的一第二侧壁之间具有一第二间距；
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一间距及该第二间距皆等于该第一宽度且大于该第二宽度。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一间距及该第二间距皆小于该第一宽度，且该...
【专利技术属性】
技术研发人员：赛沙瓦尔·伊玛目，李家豪，王宏玮，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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