【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及衬底处理系统，且更具体地涉及沉积后原位去除衬底背面的残留物。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统可使用于执行沉积、蚀刻和/或其他例如半导体晶片之类的衬底的处理。衬底可配置在处理室中的基座上。在沉积期间，包括一或更多种前体的气体混合物被引入该处理室。等离子体可能被激励(struck)以在衬底上沉积膜。
3、在将膜沉积于衬底的正面上的期间，在该衬底的背面上也可能发生非所期望的膜的沉积。例如，非所期望的膜的沉积可能发生在衬底的背面边缘上和升降销区域中。非所期望的沉积也可能发生在对应于最小接触区域(mcas)和/或在mca之间的区域中的衬底的背面上。例如，在使用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)的碳基膜的沉积期间，非所期望的沉积发生在硬掩模和碳塞/衬垫应用中。
4、许多方法已被使用于去除残留物。具有密封带的基座可能可减少在衬底的背面边缘上的沉积。然而，具有密封带的基座容易产生电弧，并且不能解决在mca处、mca之间、和升降销区域中的背面沉积。
5、也已经使用具有清扫集中环的基座。清扫集中环将惰性气体(例如分子氮(n2))从基座径向外侧的位置引向衬底的边缘。此方法还没有普遍实施并显著增加成本。
6、由于mca区域沉积仅发生在d电极的一侧上，因此也可使用单极夹具以消除
7、为了去除该背面沉积，通常需要额外的整合步骤，例如在另一室中去除斜面和/或背面处理。这些额外步骤增加了整合处理的复杂性，需要额外衬底搬运和处理时间，且增加了成本。
技术实现思路
1、一种用于处理衬底的方法，其包含将该衬底装载至穿过基座的多个升降销上，该基座配置在处理室中；将该多个升降销降低以将该衬底搁置在该基座上；供应沉积气体混合物以将膜沉积在该衬底上；停止该沉积气体混合物的供应；使用该多个升降销将该衬底升高至该处理室中的该基座的上方；供应蚀刻气体混合物；以及在该衬底与该基座的该表面之间激励该处理室中的等离子体以执行蚀刻而去除残留膜。
2、在其他特征中，该方法还包含在该沉积期间激励等离子体。该方法还包含在该沉积期间设定rf功率为第一rf功率值。该方法还包含在该蚀刻期间设定rf功率为第二rf功率值，其中该第二rf功率值不同于该第一rf功率值。
3、在其他特征中，该方法还包含在该沉积期间将该处理室中的压力设定为第一压力值；以及在该蚀刻期间在该处理室中的压力设定为第二压力值，其中该第二压力值不同于该第一压力值。
4、在其他特征中，该方法包括在该衬底的装载期间，将该多个升降销升高至第一高度；以及在蚀刻期间，将该多个升降销升高到第二高度。该第一高度与该第二高度相等。
5、在其他特征中，该衬底包括面向该基座的背面和面向喷头的下表面的正面。间隙被限定在该衬底的该正面与该喷头的该下表面之间，当该多个升降销位于该第二高度时，该间隙小于或等于2mm。
6、在其他特征中，该方法包括将气体输送系统配置为在该沉积期间使用喷头供应该沉积气体混合物并在该蚀刻期间使用该喷头供应该蚀刻气体混合物。该方法包括将气体输送系统配置为在该沉积期间使用喷头供应该沉积气体混合物并在该蚀刻期间使用该喷头供应清扫气体。
7、在其他特征中，该方法包括将该气体输送系统配置为在该蚀刻期间使用侧部气体喷射器供应该蚀刻气体混合物。
8、在其他特征中，该膜包含可灰化硬掩模。在其他特征中，该蚀刻气体混合物包含选自由分子氮(n2)、氦(he)、一氧化二氮(n2o)、二氧化碳(co2)、氟化氢(hf)、及分子氢(h2)所组成的群组的一或更多种气体。
9、一种衬底处理系统，该衬底处理系统用于在衬底上沉积膜和执行原位衬底蚀刻，其包含包括基座的处理室和多个升降销，该多个升降销穿过该基座。等离子体产生器，其被配置为在该处理室中选择性地激励等离子体。气体输送系统，其被配置为供应沉积气体混合物以在该衬底上沉积膜，以及在沉积后，在蚀刻期间供应蚀刻气体混合物以去除残留膜。致动器，其被配置为升高该多个升降销以用于装载、在沉积期间将该多个升降销降低以将该衬底搁置在该基座上、以及在蚀刻后升高该多个升降销。该等离子体产生器被配置为在该蚀刻期间在该衬底与该基座之间激励等离子体。
10、在其他特征中，该气体输送系统包含喷头。该等离子体产生器被配置为在该沉积期间在该衬底与该喷头之间激励等离子体。该等离子体产生器被配置为在该沉积期间以第一预定rf功率供应rf功率，以及在该蚀刻期间以第二预定rf功率供应rf功率。该第二预定rf功率不同于该第一预定rf功率。
11、在其他特征中，该处理室中的压力在该沉积期间设定为第一预定压力且在该蚀刻期间设定为第二预定压力，其中该第二预定压力不同于该第一预定压力。
12、该致动器被配置为在该衬底的装载期间将该多个升降销升高至第一高度并在该蚀刻期间将该多个升降销升高至第二高度。
13、在其他特征中，该第一高度和该第二高度相等。当该多个升降销位于该第二高度时，预定间隙被限定在该衬底与喷头的下表面之间，该间隙小于或等于2mm。
14、该气体输送系统被配置为在该沉积期间使用喷头供应该沉积气体混合物并在该蚀刻期间使用该喷头供应该蚀刻气体混合物。该气体输送系统被配置为在该沉积期间使用喷头供应该沉积气体混合物并在该蚀刻期间使用该喷头供应清扫气体。该气体输送系统被配置为在该蚀刻期间使用侧部气体喷射器供应该蚀刻气体混合物。
15、在其他特征中，该膜包含可灰化硬掩模。该蚀刻气体混合物包含选自由分子氮(n2)、氦(he)、一氧化二氮(n2o)、二氧化碳(co2)、氟化氢(hf)、及分子氢(h2)所组成的群组的一或更多种气体。
16、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
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1.一种处理衬底的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其还包含在所述沉积期间激励等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其还包含：
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一高度与所述第二高度相等。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底包括面向所述基座的背面和面向喷头的下表面的正面，且其中间隙被限定在所述衬底的所述正面与所述喷头的所述下表面之间，当所述多个升降销位于所述第二高度时，所述间隙小于或等于2mm。
8.根据权利要求1所述的方法，其还包含将气体输送系统配置为在所述沉积期间使用喷头供应所述沉积气体混合物、并在所述蚀刻期间使用所述喷头供应所述蚀刻气体混合物。
9.根据权利要求1所述的方法，其还包含将气体输送系统配置为在所述沉积期间使用喷头供应所述沉积气体混合物、并在所述蚀刻期间使用所述喷头供应清扫气体。
10.根据权利要求9所述的方法，其还包含将所述气体输送系统配置为在所述
11.根据权利要求1所述的方法，其中：
12.一种用于在衬底上沉积膜并原位执行所述衬底的蚀刻的衬底处理系统，其包含：
13.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中：
14.根据权利要求13所述的衬底处理系统，其中所述等离子体产生器被配置为：
15.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中所述处理室中的压力在所述沉积期间设定为第一预定压力且在所述蚀刻期间设定为第二预定压力，其中所述第二预定压力不同于所述第一预定压力。
16.根据权利要求13所述的衬底处理系统，其中所述致动器被配置为在所述衬底的装载期间将所述多个升降销升高至第一高度并在所述蚀刻期间将所述多个升降销升高至第二高度。
17.根据权利要求16所述的衬底处理系统，其中所述第一高度和所述第二高度相等。
18.根据权利要求16所述的衬底处理系统，其中当所述多个升降销位于所述第二高度时，预定间隙被限定在所述衬底与喷头的下表面之间，所述间隙小于或等于2mm。
19.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中所述气体输送系统被配置为在所述沉积期间使用喷头供应所述沉积气体混合物并在所述蚀刻期间使用所述喷头供应所述蚀刻气体混合物。
20.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中所述气体输送系统被配置为在所述沉积期间使用喷头供应所述沉积气体混合物并在所述蚀刻期间使用所述喷头供应清扫气体。
21.根据权利要求20所述的衬底处理系统，其中所述气体输送系统被配置为在所述蚀刻期间使用侧部气体喷射器供应所述蚀刻气体混合物。
22.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理衬底的方法，其包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其还包含在所述沉积期间激励等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其还包含：
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一高度与所述第二高度相等。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底包括面向所述基座的背面和面向喷头的下表面的正面，且其中间隙被限定在所述衬底的所述正面与所述喷头的所述下表面之间，当所述多个升降销位于所述第二高度时，所述间隙小于或等于2mm。
8.根据权利要求1所述的方法，其还包含将气体输送系统配置为在所述沉积期间使用喷头供应所述沉积气体混合物、并在所述蚀刻期间使用所述喷头供应所述蚀刻气体混合物。
9.根据权利要求1所述的方法，其还包含将气体输送系统配置为在所述沉积期间使用喷头供应所述沉积气体混合物、并在所述蚀刻期间使用所述喷头供应清扫气体。
10.根据权利要求9所述的方法，其还包含将所述气体输送系统配置为在所述蚀刻期间使用侧部气体喷射器供应所述蚀刻气体混合物。
11.根据权利要求1所述的方法，其中：
12.一种用于在衬底上沉积膜并原位执行所述衬底的蚀刻的衬底处理系统，其包含：
13.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中：
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