【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种电子电路，特别是有关于一种静电放电保护电路。
技术介绍
1、随着集成电路的半导体工艺的发展，半导体元件尺寸已缩小至次微米阶段，以增进集成电路的性能以及运算速度，但元件尺寸的缩减，却出现了一些可靠度的问题，尤以集成电路对静电放电(electrostatic discharge,esd)的防护能力影响最大。一般而言，静电放电保护电路以及被保护电路皆耦接用于输出或输入的接合垫。当接合垫上发生静电放电事件时，被保护电路中的金氧半晶体管与接合垫耦接的栅极电压，由于栅极耦合电荷(gatecoupling charge)的效应，被保护电路中的栅极电压随着接合垫的电压提高而提前导通，这导致大电流流经此金氧半晶体管，使得此金氧半晶体管以及被保护电路中的其他元件因此而损坏。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出一种静电放电保护电路。静电放电保护电路耦接一接合垫，用以保护被保护元件。静电放电保护电路包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、以及一放电电路。第一晶体管具有一第一栅极、耦接接合垫的一第一漏极、以及耦接一第一节点的一第一源极。第二晶体管具有耦接一电源端的一第一栅极、耦接第一栅极的一第二漏极、以及耦接一接地的一第二源极。第三晶体管具有耦接电源端的一第三栅极、耦接第一节点的一第三漏极、以及耦接接地的一第三源极。放电电路耦接于接合垫与接地之间，且受控第一节点上的一驱动电压。当在接合垫上发生一静电放电事件时，放电电路根据驱动电压提供介于接合垫与接地之间的一放电路径。p>
2、本专利技术另提出一种电子电路，其包括一被保护元件、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、以及一放电电路。被保护元件耦接于一接合垫与一接地之间。第一晶体管具有一第一栅极、耦接接合垫的一第一漏极、以及耦接一第一节点的一第一源极。第二晶体管具有耦接一电源端的一第一栅极、耦接第一栅极的一第二漏极、以及耦接一接地的一第二源极。第三晶体管具有耦接电源端的一第三栅极、耦接第一节点的一第三漏极、以及耦接接地的一第三源极。放电电路耦接于接合垫与接地之间，且受控第一节点上的一驱动电压。当在接合垫上发生一静电放电事件时，放电电路被驱动电压触发以提供介于接合垫与接地之间的一放电路径。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，耦接一接合垫，用以保护一被保护元件，包括：
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该放电电路包括：
3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，当在该接合垫上发生该静电放电事件时，该第四晶体管根据该驱动电压而导通以提供该放电路径。
4.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，当该电源端接收一操作电压时，该第四晶体管根据该驱动电压而关断。
5.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管以及该第四晶体管为横向扩散金属氧化物半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该放电电路包括：
7.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于，当在该接合垫上发生该静电放电事件时，该第四晶体管根据该驱动电压而导通以提供该放电路径。
8.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于，当该电源端接收一操作电压时，该第四晶体管根据该驱动电压而关断。
9.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在
10.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管更包括一第一基极，该第二晶体管更包括一第二基极，该第三晶体管更包括一第三基极，且该第一基极、该第二基极、以及该第三基极皆耦接至该接地。
11.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管以及该第三晶体管皆为N型晶体管。
12.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该被保护元件耦接该接合垫且包括一第四晶体管，以及该第一晶体管与该第四晶体管形成在一基板上的一共同掺杂区。
13.如权利要求12所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管以及该第四晶体管为横向扩散金属氧化物半导体晶体管。
14.如权利要求12所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管与该第四晶体管是以一多指结构形成在该共同掺杂区。
15.如权利要求14所述的静电放电保护电路，其特征在于，
16.一种电子电路，其特征在于，包括：
17.如权利要求16所述的电子电路，其特征在于，该第一晶体管与该被保护元件形成在一基板上的一共同掺杂区。
18.如权利要求16所述的电子电路，其特征在于，该放电电路包括：
19.如权利要求16所述的电子电路，其特征在于，该放电电路包括：
20.如权利要求16所述的电子电路，其特征在于，该被保护元件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，耦接一接合垫，用以保护一被保护元件，包括：
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该放电电路包括：
3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，当在该接合垫上发生该静电放电事件时，该第四晶体管根据该驱动电压而导通以提供该放电路径。
4.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，当该电源端接收一操作电压时，该第四晶体管根据该驱动电压而关断。
5.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管以及该第四晶体管为横向扩散金属氧化物半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该放电电路包括：
7.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于，当在该接合垫上发生该静电放电事件时，该第四晶体管根据该驱动电压而导通以提供该放电路径。
8.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于，当该电源端接收一操作电压时，该第四晶体管根据该驱动电压而关断。
9.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管以及该第四晶体管为横向扩散金属氧化物半导体晶体管。
10.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，该第一晶体管更包括一...
【专利技术属性】
技术研发人员：林志轩，黄绍璋，林文新，周业宁，邱华琦，陈俊智，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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