半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于该第一导电型衬底上；一栅极结构，包括一第一侧边与第二侧边，其中该第一侧边位于该第二导电型井区上；一第二导电型扩散源极，位于该第二侧边外侧的该第一导电型衬底上；一第二导电型扩散漏极，位于该第一侧边外侧的该第二导电型井区上；以及多个横向排列且互相分开的第一导电型埋环(buried?rings)，形成于该第二导电型井区中，其中这些第一导电型埋环的掺杂轮廓从第二导电型扩散源极到第二导电型扩散漏极的方向逐渐变小。本发明专利技术实施例的半导体结构及其制造方法，可以同时提高击穿电压并降低导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及双扩散金属氧化物半导体晶 体管及其制造方法，以同时提高击穿电压并降低导通电阻。
技术介绍
在当今的集成电路制造工艺中，已在单一芯片中大量地整合控制器、存储器、低 电压操作元件与高电压功率元件等装置，因而形成单一芯片系统。为了应付高电压与电 流的需求，电源装置中通常应用如双扩散金属氧化物半导体晶体管(double-diffused metal oxide semiconductor，DM0S)的高电压装置，其在高电压下操作时具有较低的导 通电阻(on-resistance)。另外，在特大规模集成电路逻辑电路(VLSI)中则通常整合 有其他高电压装置，例如具有简单结构的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管(lateral double-diffused metal oxidesemiconductor, LDM0S)，相较于惯用的垂直扩散型金属氧 化物半导体晶体管(vertical double-diffused metal oxide semiconductor, VDM0S)，其 具有较高的导通电阻。一般在设计晶体管时，主要需考虑使元件具有高击穿电压与低导通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，所述的半导体结构包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于所述第一导电型衬底上；一栅极结构，包括一第一侧边与第二侧边，其中所述第一侧边位于所述第二导电型井区上；一第二导电型扩散源极，位于所述第二侧边外侧的所述第一导电型衬底上；一第二导电型扩散漏极，位于所述第一侧边外侧的所述第二导电型井区上；以及多个横向排列且互相分开的第一导电型埋环，形成于所述第二导电型井区中，其中所述第一导电型埋环的掺杂轮廓从所述第二导电型扩散源极到所述第二导电型扩散漏极的方向逐渐变小。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张义昭，杜尚晖，许健，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71