半导体结构及高电子迁移率晶体管制造技术

一种半导体结构，包含缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层及组成渐变层。缓冲层设置于基底上，通道层设置于缓冲层上，阻障层设置于通道层上，掺杂化合物半导体层设置于阻障层上，且组成渐变层设置于阻障层与掺杂化合物半导体层之间，其中阻障层与组成渐变层包含一相同的第三族元素和一相同的第五族元素，且在组成渐变层中的所述相同的第三族元素的原子百分比从阻障层到掺杂化合物半导体层的方向逐渐增加。此外，还提供包含此半导体结构的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及高电子迁移率晶体管


[0001]本公开涉及半导体器件的领域，特别是涉及一种半导体结构及包含此半导体结构的高电子迁移率晶体管。

技术介绍

[0002]在半导体技术中，III
‑
V族的化合物半导体可用于形成各种集成电路器件，例如：高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)。HEMT是属于具有二维电子气(two dimensional electron gas,2
‑
DEG)的一种晶体管，其2
‑
DEG会邻近于能隙不同的两种材料之间的接合面(亦即，异质接合面)。由于HEMT并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用2
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DEG作为晶体管的载子通道，因此相较于习知的金氧半场效晶体管(MOSFET)，HEMT具有多种吸引人的特性，例如：高电子迁移率及以高频率传输信号的能力。对于习知的HEMT，可以包含依序堆栈的信道层、阻障层、盖层、与门极电极。利用栅极电极向盖层施加偏压，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一缓冲层，设置于一基底上；一通道层，设置于该缓冲层上；一阻障层，设置于该通道层上；一掺杂化合物半导体层，设置于该阻障层上；以及一组成渐变层，设置于该阻障层与该掺杂化合物半导体层之间，其中该阻障层与该组成渐变层包含一相同的第三族元素和一相同的第五族元素，且在该组成渐变层中的该相同的第三族元素的原子百分比从该阻障层到掺杂化合物半导体层的方向上逐渐增加。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中在该组成渐变层中的该相同的第三族元素的整体原子百分比高于在该阻障层中的该相同的第三族元素的原子百分比。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该组成渐变层包含一金属掺质，该金属掺质包括镁、镉、碳或锌。4.如权利要求1所述的半导体结构，更包括一盖层，设置于该组成渐变层与该掺杂化合物半导体层之间，其中该盖层的组成包括该相同的第三族元素和该相同的第五族元素。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该盖层的该相同的第三族元素的平均原子浓度高于该组成渐变层的该相同的第三族元素的平均原子浓度。6.如权利要求4所述的半导体结构，其中该盖层的厚度为该组成渐变层的厚度的2％至10％。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该阻障层包括氮化铝镓(Al
z
Ga
(1
‑
z)<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志谚，王端玮，卢钒达，陈俊扬，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：