温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构，包含缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层及组成渐变层。缓冲层设置于基底上，通道层设置于缓冲层上，阻障层设置于通道层上，掺杂化合物半导体层设置于阻障层上，且组成渐变层设置于阻障层与掺杂化合物半导体层之间，其中阻障层与组成...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。